半导体器件物理CH2-2.ppt

3。电流-电压特性?理想情况( 肖克莱方程) 理想的电流电压特性 1) 突变耗尽近似, 边界外电中性 2) 波耳兹曼近似 3) 小注入假设 4) 耗尽层内无产生和复合电流 W1 P N I V W E E’ W2 P N I V W E E’ 正偏 反偏 正向和反向偏置下的能带图、电势分布和载流子浓度分布 热平衡时,波耳兹曼关系: 本征能级电势 费米能级电势 热平衡时 外加电压, 结两侧的少数载流子密度变化, 电子和空穴的准费米能级 正向偏置 反向偏置 根据电流密度方程: 同理: 电子和空穴的电流密度正比于各自的准费米能级梯度 热平衡状态: 正向和反向偏置下的能带图、电势分布。 结上的静电势差： P型一侧耗尽区边界x=-xp的电子浓度: n型一侧耗尽区边界x=xn的空穴浓度: 理想电流电压方程最重要的边界条件。 PN结边界处的非平衡少数载流子浓度: 正向偏压时,边界的少数载流子浓度比平衡时要大,反向偏压时要小. 正向和反向偏置下的能带图和载流子浓度分布 根据连续性方程，静态时, 对N区: 净复合率 利用电中性（nn-nn0) ~(pn-pn0)，结合爱因斯坦关系： 乘以 ?ppn 乘以 ?nnn + 其中： 小注入假设：n型区 比较 无电场的中性区, 进一步简化： x=xn: 边界条件: x=-xp: 同理 正向偏置状态: 载流子分布和电流密度分布 反向偏置状态: 载流子分布和电流密度分布 总电流： 肖克莱方程， 理想二极管定律 理想的电流-电压特性 (a)线性坐标，(b)半对数坐标 温度对饱和电流密度的影响: p+-n单边突变结: 施主浓度ND, 都与温度有关 与指数项相比,前面一项与温度的关系并不重要. 反向, |JR|~JS,电流按照 关系随温度增加; 正向, 电流大致按 变化. 3。电流-电压特性?产生-复合过程 表面效应—表面离子电荷 耗尽层内载流子的产生和复合 大注入 串联电阻效应 大的反向电场，结的击穿 偏离理想情形 反向偏置下 耗尽区主要的复合-产生过程 ?载流子发射过程 产生与复合过程对电流-电压特性的影响: 正向偏置下 耗尽区主要的复合-产生过程 ?载流子俘获过程 产生-复合速率 电子-空穴对的产生率： 有效寿命 pnni nnni 反向偏置下 载流子发射 耗尽区内的产生电流： 耗尽层宽度 只有能级Et靠近本征费米能级的产生中心,对产生率有显著贡献 突变结： 若有效寿命随温度缓变,则产生电流与ni有同样的温度关系， 线性缓变结： 总的反向电流 = 中性区的扩散电流 + 耗尽区的产生电流： 室温下： 若ni很大（例如Ge)，扩散电流为主 反向电流符合理想情况 若ni很小（例如Si)，产生电流占优势 高温下： 扩散电流为主 在给定温度下, 产生电流正比于耗尽层宽度, 耗尽层宽度又与外加反向偏压有关： 实际Si二极管的电流-电压特性 产生-复合电流区 扩散电流区 大注入区 串联电阻效应 产生-复合与表面效应等引起的反向漏电流 正向偏置下： 俘获过程 扩散电流+复合电流 Jrec 若 Ei=Et ,?n= ?p= ? 将 代入复合率 当电子与空穴的浓度和 ( n+p) 为最小值时, 复合率 U在耗尽区达到最大: 即Ei恰好位于EFn和EFp的中间: V3kT/q时，有： 总的正向电流： 实验结果一般可用经验公式： 复合电流占优势：n=2， 扩散电流占优势：n=1, 两种电流相当：1n2 . 复合电流： 理想系数 实际Si二极管的电流-电压特性 产生-复合电流区 扩散电流区 大注入区 串联电阻效应 产生=复合与表面效应等引起的反向漏电流 正向偏置，大电流密度 少数载流子密度与多数载流子密度可以比拟， 在注入区产生电场和载流子的漂移运动。 3。电流-电压特性?大注入条件 p+-n结 正向大注入效应 P区 n区 载流子密度 X=0 n