半导体材料总复习.ppt

Vegard定律： 三元固溶体：晶格常数：aAB=xaA+(1-x)aB 带隙宽度 ：Eg,AB=xEg,A+ (1-x)Eg,B 但这种线性关系往往并不精确，要进行修正 通常Eg,AB= a+bx+cx2其中，a, b, c为特定固溶体材料的特征性常数。 第一节：异质结与晶格失配 异质结是由两种半导体单晶联接起来构成的。按其导电类型，可分为同型(NN+、PP+)和异型(PN)。用一般的外延生长方法制备的异质结，常常是有一定厚度的 缓变区(过渡区)，利用MBE、MOVPE及ALE等外延技术可以生长过渡区很窄或突变的异质结。 在器件，特别是光电器件的设计和制作中常利用异质结的特性： (1) 有低阻衬底和含有器件有源区的外延层构成的同型异质结，衬底与外延层的交界面在无源区，衬底只起支撑外延层的作用； (2) 同型异质结在靠近有源区处能提供一个带隙较高的透明层，可消除复合速度很高的自由表面，而异质结界面则起钝化作用； (3) 同型异质结也能形成限制载流子的势垒，可缩短载流子的扩散长度，从而减少了复合区宽度； (4) 异型异质结可利用改变结两侧禁带宽度的相对大小来提高电子或空穴的注入效率； (5) 同型和异型异质结都能提供一个折射率阶跃，形成光波导的界面； (6) 同型异质结可以为形成金属化欧姆接触提供一个禁带宽度小的称作“盖层”的材料层。 不论采用什么外延方法，在异质的外延层和衬底或相邻的两个外延层之间，如果存在着晶格常数的差异，总是有晶格失配的问题。晶格失配的存在，常给器件制作和性能带来不利的影响，因此在外延生长异质结时，应尽量限制和降低晶格失配的影响。 消除晶格失配的方法：1）在进行异质外延生长时，其厚度不超过临界厚度，那么外延层是完整的，没有失配位错。2）还可以通过界面缓变和组分突变两种方法来减少失配位错。 第五节：超晶格与量子阱(第二、三、四节：了解) 半导体超晶格---是利用超薄层生长技术制备的一种新型的人工材料。 超晶格是一种新型结构的半导体化合物，它是由两种极薄的不同材料的半导体单晶薄膜周期性地交替生长的多层异质结构，每层薄膜一般含几个以至几十个原子层。由于这种特殊结构，半导体超晶格中的电子(或空穴)能量将出现新的量子化现象，以致产生许多新的物理性质。 1.半导体超晶格与多量子阱 相邻两层不同材料的厚度的和称为超晶格的周期长度，一般来说这个周期长度比各层单晶的晶格常数大几倍或更长，因此这种结构获得了“超晶格”的名称。由于这两种材料的禁带宽度不同，则其能带结构出现了势阱和势垒。称窄禁带材料厚度为阱宽Lw，宽禁带材料厚度为垒宽LB，而Lw+LB就是周期长度。当这两种薄层材料的厚度和周期长度小于电子平均自由程时，整个电子系统进入了量子领域，产生量子尺寸效应。这时夹在两个垒层间的阱就是量子阱。 多量子阱和超晶格的区别：多量子阱和超晶格都是连续周期排列的异质结构材料，区别在于势垒的厚度和高度不同： 1.当势垒厚度（宽带隙材料的厚度）20nm和势垒高度大于0.5eV时，那么多个阱中的电子行为如同单个阱中电子行为的总和，这种结构材料称为多量子阱，它适合制做低阈值，锐谱线的发光器件。 2.如果势垒比较薄或高度比较低，由于隧道效应，使阱中电子隧穿势垒的几率变得很大，势阱中分立的子能级就形成了具有一定宽度的子能带，这种材料称为超晶格，它适于制备大功率的发光器件。 2.组分超晶格 目前已设计制备出多种超晶格结构，主要有组分超晶格、掺杂超晶格、多维超晶格，应变超晶格。如果超晶格材料的一个重复单元是由两种不同材料的薄层构成，则称为组分超晶格。在组分超晶格中，从能带结构上来划分可分为四种类型（Ⅰ型、Ⅱ型—错开、Ⅲ型—倒转和Ⅳ型）。其中第Ⅰ种类型的超晶格的电子势阱和空穴势阱都处在同一薄层材料中，这种类型的超晶格结构，适于制做激光器。 组分超晶格的制备 ： 制备组分超晶格时应满足如下的要求： (1) 组分超晶格是超薄层异质周期排列结构，因此制备时生长速率应能精确地控制，以保证各层厚度的重复性； (2) 异质界面应该平坦，粗糙度低，组分变化陡峭。这就要求生长时源的变化要快，且在保证晶体质量的条件下，生长温度尽可能的低，以防止层间组分的互扩散； (3) 晶格完整性要好，失配度小，失配位错少，表面形貌要好； (4) 各层化合物组分控制要精确，特别多元化合物的组分还应均匀； (5) 如果需要掺杂，掺杂量及其均匀分布也应精确控制。 从上述的要求来看，目前可用来制备超晶格的方法主要是MBE、MOVPE、CBE和ALE等。 MOVPE法生长GalnAs/InP组分超晶格：GaInAs/lnP超晶格可用常压、低压MOVPE两种方法生长，但生长时为了获得陡峭的异质结界面，要求生长室内保持气流为无涡流的层状。 生长超晶格、量子阱结构多使用LP-MOVP