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第三章：半导体材料的性质与性能 材料学院 徐桂英 第二节 基本原理 第三章：半导体材料的性质与性能 但近来人们发现【28】，在某些特殊情况下，晶界对声子的散射在室温附近也能被观察到。 例如，在例逆过程和点缺陷散射较强的晶体中，由于高频声子被强烈散射，平均自由程较短，它们对热量输运的贡献相对减小，从而低频声子的贡献就相对增大。 因此，在低频长波声子对热运输运贡献相对增大的条件下，晶界散射的作用可能会从热导率的变化中反映出来。 图3.5 热导率随晶体尺寸减小反映晶界散射的影响 前面讨论载梳子运动过程的散射机制时可知，声子对载流子的散射是制约载流子平均自由程的一个主要机制。 反过来，这一作用也必然会制约声子的平均自由程。这—反过程称为载流子对声子的散射。 图3.6 N-SiGe晶格热导率Kl随温度和掺杂的变化 通常．对于轻掺杂的半导体材料，由于载流子浓度低，因此散射作用弱，往往可以忽略不计。 然而，温差电材料多为重掺杂半导体，载流子浓度高。因此载流子对声子的散射往往不可忽略。 图3.6示出SiGe合金材料中几种不同掺杂浓度对晶格热导率的影响【29】。 同样，载流子的散射也是只有在两者的波长相近时才会有效进行。 半导体中自由载流子的波长与声子频谱中频率较低的声子波长相当，也就是说，载流子散射也主要是对低频声子起作用，因此在低温时更为显著。 从图3．6中也可看出。载流子浓度对热导率的影响在300K时比在1100K时更为显著。 (4）载流子散射 计算晶格热导率的基础是求解声子的玻尔兹曼方程 。 根据声子的特点，严格求解玻尔兹曼方程必须采用变分法【30,31】。 然而这种方法不仅繁杂，而且仅能给出数值解，不便于解析分析。 如对声于采用弛豫时间近似，虽住往较为勉强，但却能给出晶格热导率的较好估算，并能描述晶格缺陷、晶界及载流子等多种散射对晶格热导率的影响，因此目前普遍用作晶格热导率的分析方法。 2．弛豫时间近似 采用弛豫时间近似，首先必须假设声子的弛豫时间t可以用声子频率w＝2pn和温度来表示，然后通过微扰理论求出相应散射机制下声子的弛豫时间。 对三声子散射中的正常过程和倒逆过程，弛豫时间可以分别表示为【32】 其中k0由正常过程和倒逆过程的相对强度决定。Au是与温度有关的比例常数。 (3.51) 并假设两者之间具有下列简单关系，即 （ 3.50） （3.49） 对无限大的完整晶体，晶格中只存在三声子散射过程，据此建立并求解载流子的玻尔兹曼方程【33】，可以导出在这种情况下的晶格热导率l0为 (3．52）， 式中，W0为一个原子体积；G表示合金中几种元素的原子质量差异引起的点缺陷的散射强度，且有： 对温差电材料而言，热导率应尽可能小，因此希望引入适当的晶格缺陷以增加对声子的散射，从而降低热导率。 通过形成固溶体合金产生晶格点缺陷是温差电材料中较为常见的一种散射机构。其弛豫时间可以表示为【34】 (3．53) (3．54) 式中，Mi是合金中i元素的质量；fi是i元素在合金所占组分的百分比。 (3．55) 式中，l是声子的平均自由程，实际上等于该单晶粒的尺寸，通常称为卡西米尔(Casimir)长度。 载流子散射主要对低频声子起作用。载流子浓度较大时，弛豫时间可以表示为【36.37】 晶界散射在晶体尺度较小时，特别是在多晶体和粉末冶金材料中．也会对声子的平均自由程有一定影响。 显然这种散射机构的弛豫时间将与晶体的尺寸有关，可以表示为【35】： (3．56) 式中，D为形变势；rd是密度。 当上述几种散射机制同时起作用时，晶体中声子的有效弛豫时间的倒数为各散射机构单独起作用时的弛豫时间的倒数之和，即 (3．58) (3．54) 利用上述弛豫时间关系，可以导出计入所有散射机构的晶格热导率为【38，39】 式中x＝hw／kBT。 (3．59)式中括号内第一项代表能使动量逆向的散射过程的贡献，并将三声子散射中的正常过程也看作是能使动量逆向的散射过程。 然而由前面的讨论知道，正常过程并不能使声子的动量经散射后发生逆向，而只能改变声子的重新分布，增强其它散射机制的散射强度。因此在(3．59)式括号中出现的第二项I22／I3，就是用来修正由于对正常过程所作的上述不当假设而引起的误差。 可以说，这个理论分析是存在缺陷的。然面．该理论对实验结果的解释却较为成功。其他更为严格的理论与之相比，反而不如该理论成功，而且往往涉及较多的不定参数。 将ll和l0比较可以看出l0是只包括三声子散射过程的晶格热导率，这是完整晶格结构中也存在的参数，可称为本征热导率。ll则包含了本征影响和非本征因素．即各类缺陷的影晌。 (3.59) (3.61) (3.60) (3.62) 其中： 声子概念的引入方便了晶格各种基本物理过程的研究。例如， 格