半导体物理9.ppt

§4.3 霍尔效应 一， Hall 效应（1879年）： 1. 现象：E. M. Hall 发现：有电流通过的金属、半导体薄片，若加上 B 且 ，则在垂直于E 的方向将产生一个横向电势 → Hall 效应；→ 是研究半导体的重要方法 2. 原因：设 则按右手叉乘得洛仑兹力： 或左手定则：即四指为 电流方向 jx，磁场 B 由左手心穿向手背，则拇指为洛仑兹力方向 电子 空穴 ∴载流子受力为 （4－39） ＋空穴，－电子 1°初始阶段：F与 E 和 载流子横向运动（即 B 引起的偏转） →引起横向电流→ y方向两侧电荷积累→ 建立横向电场 E y 2°建立动态平衡：E y存在→产生横向漂移电流→与 B引起的横向电流相抵 →直至总的横向电流＝0 时→达到动态平衡→平衡横向电场：Hall电场 （Hall电势差）； 或说：Hall 横向电场对载流子的作用力与 B 的洛仑 兹力相抵消时，达到稳定状态 应用：由上页图可见，测定 E y 方向→可定载流子导电类型 3. Hall系数 RH ： 1°弱磁场下 (以N型为例)： 和BZ (4－40) 对N型：磁 ，电 ；平衡时 ∴ ； 即RHn = 1 / ne (4－41) 仿此对P型半导体：RHp = 1 / pe (4－42) 2°考虑碰撞效应：以P型为例，B∥k，E 和 V 在XY平面内任意方向，则 在XY平面内引起动量变化的因素，包括： 1）电场Ex 提供动量 2）碰撞造成 x，y 方向动量变化 3）P个载流子在B 作用下，Δt 时间内X,Y方向的动量和为 (在 P 型中) Y方向： X方向： ∴X方向的动量总变化为： y方向负号 由 v x B Y方向的动量总变化为： 运算得出 Hall效应中 ∴由上两式得 代入可得 (4－43) ∵ ∴ ∴代入 E y 可得： 即 ，仿此 3°影响： RH ∝ 1/n 或 1/p ∵ E y ∝ v x (4－42)， jx 一定时，n(P)↑→ vx↓,→ RH 越小 对长度l、宽度w、厚度d的样品，Hall电压（电势差）为： ∵ ∴ (4－44) 4. Hall角： 1°定义：由于 Ey 存在，电流和电场方向不同，两者夹角称为Hall 角. (4－45) ∵