半导体量子点中弱耦合激子的性质.pdfVIP

第27卷 第4期 发 光 学 报 Vol.27 No.4 2006年8月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE Aug.，2006 文章编号:1000-7032(2006)04-0457-06 半导体量子点中弱祸合激子的性质 李志新,2‘，肖景林2* (1.河北科技师范学院数理系，河北秦皇岛 066004;2.内蒙古民族大学物理与机电学院，内蒙古通辽 028043) 摘要:研究了抛物型半导体量子点中弱藕合激子的性质，在有效质量近似下，采用线性组合算符和么正变换 的方法，导出了抛物型半导体量子点中激子的基态能量。讨论了量子点半径和受限强度对半导体量子点中 弱祸合激子的基态能量的影响。以GaAs半导体为例进行了数值计算，结果表明:在弱祸合情况下，重空穴激 子和轻空穴激子的基态能量随量子点半径的减小而增大，随受限强度。。的增强而增大。 关 键 词:量子点;激子;线性组合算符;弱祸合 中图分类号:0469;0472.3 PACC:6320K;7138 文献标识码:A 尺寸效应进行了研究。Ramaniah等[’〕用紧束缚 1 引 言 方法对半导体量子点中内带光学转变进行了计 1975年，Esaki等[1]第一次提出了量子线和 算。Gu等’]〔对纯二维极性晶体的表面激子采用 量子点的概念，在此之后的30年里，人们对半导 Huybrechts的线性组合算符导出了弱、中祸合情 体量子点的各种性质都开展了广泛的研究。激子 形的表面激子的有效哈密顿量。到目前为止，对 是由电子和空穴形成的束缚对，首先是由夫伦克耳 量子点中激子的研究采用线性组合算符方法甚 (Frenkel)在理论上提出来的。我们常见的典型 少，最近本文作者之一9]〔采用线性组合算符方法 的激子态有两种情况:(1)当激子半径比晶格常 研究了量子点中极化子的性质。对于抛物型能带 数大很多倍时，电子与空穴束缚较弱的瓦涅尔一莫 结构，有效质量近似方法是一种比较直观且使用 特激子(弱束缚激子);(2)当激子半径小于或约 最多的方法。本文在有效质量近似下，考虑电子- 等于晶格常数时的紧束缚型夫伦克耳激子(紧束 声子藕合弱的情况下采用线性组合算符和么正变 缚激子)。在半导体量子点中，由于载流子在空 换方法对GaAs量子点中弱藕合激子的基态能量 间三个方向上均受到限制，从而极大地提高了空 进行了计算。 穴和电子云之间的重叠，导致了库仑束缚能量和 2 理论模型与计算 振子强度的加强，所以在半导体量子点中，激子效 应显得尤其重要。由于激子结构组成的复杂性， 考虑一个约束在抛物势量子点中运动的激 一些学者采用多种理论模型对半导体量子点中激 子。在有效质量近似下，具有电子一体纵光学声子 子进行了研究。Lu。等[21采用有效质量近似理 相互作用系统的哈密顿量为: 论，在忽略表面极化子效应的情况下计算了球型、 H =斌 矿 一 ve+1me。孟;:一共、h2+ 圆柱型和立方型量子点中激子的基态能量和束缚 “ mh 2 能。BruslE3〕应用鹰势方法计算了半导体晶体中 蔬 e La,Q4 。.(;。一rh)+7人。 剩 电子一电子和电子一空穴的相互作用。Xie等