ingapgaas hbt射频功率放大器在片温度补偿电路研究.pdfVIP

H InGaP／GaAs BT射频功率 放大器在片温度补偿电路研究 李诚瞻，陈志坚，王永平，马传辉，杨寒冰，廖英豪，周勇，刘斌 0663) (广州润芯信息技术有限公司，广州，51 摘要：本文针对无线通信应用的InGaP／GahsHBT射频功率放大器，提出一种新型的在片温度补偿电 路。该温度补偿电路由一个GaAsHBT和五个阻值大小不同的电阻组成，结构简单，可实现性强。通过调 整偏置电路中参考电压的方法调节功率放大器静态偏置电流，有效地实现补偿功率放大器功率增益和 输出功率随温度变化的特性，优化了射频功率放大器的热特性，性能随温度只有略微的退化。将该温度 补偿电路置入一个无线通信应用的三级单片集成功率放大器，温度在-20℃到+80。C范围内变化时，增 益随温度变化的变化量从4．3dB提高到只有1．1dB。 关键词：GaAsHBT；功率放大器；温度补偿电路；在片 HBTRF to Abstract：Anew temperature circuitforGaAs-based on-chip compensation amplifierapplied WaS ofoneGaAsHBTandfive wirelesscommunication circuitiscomposed presented．Thesimplecompensation betterthermalcharacteristicswitha resistorswithvarious allowsthe toachieve values，whichpoweramplifier little in forthe variationofthe andthe degradationperformance．Iteffectively temperature gain compensates the the current．The of base bias power regulating temperaturecompensation outputpower amplifierby quiescent is toa forwirelesscommunication resultsthe circuit 3-stageintegratepoweramplifier application，which applied inthe variation from4．3dBtol-ldB between-20％and+80℃． 鲥n improved temperaturerange word：GaAs Key HBT；poweramplifier；temperaturecompensation；onchip； 1 引言 人信号