ka频段单片低噪声放大器设计 the design of a ka-band low noise amplifier mmic.pdfVIP

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ka频段单片低噪声放大器设计 the design of a ka-band low noise amplifier mmic.pdf

ka频段单片低噪声放大器设计 the design of a ka-band low noise amplifier mmic

第23卷第3期 微波学报 V01.23No.3 0FMICROWAVES Jun.2007 2007年6月 JOURNAL 文章编号:loQ5.6122(2007)03J0039J啤 Ka频段单片低噪声放大器设计。 杨自强杨涛刘 宇 (电子科技大学微波中心,成都610054) 摘要: 设计了一个Ka频段低噪声放大器MMIc,该芯片采用两级放大的结构,通过调节有源器件几何尺寸 (栅宽和叉指数)和源极串联负反馈,减小最佳噪声匹配点(r。)和共轭匹配点(sj)之间的距离,使低噪声放大器同 时获得最佳噪声匹配和共轭匹配。另一方面,在源极引入串联负反馈可提高放大器的稳定性。该放大器采用商用 的o.18“m 范围内,实现增益大于10dB,30GHz处噪声系数约为2.3dB。 关键词: 低噪声放大器,高电子迁移率管,l(a频段,微波单片集成电路 The ofaKa-bandLowNoise MMIC Design Amplifier YANG Yu Zi-qiaI唱,YANGT舯,LIU (M幻rDtl)鲫e 610054,吼i眦) cen£er,【,砌ers盼妒Efectm砒Sc如,lce口砌nc^∞f0形矿吼in8,Ck憎du AKa-band low microwave Abstract: iIltegrated tw0.stagenoise砌pli胁(LNA)啪nolit}lic are to tlledistance oftheactivedevice明dthe∞urceseriesf如dbackchosen minimize developed.The鲫e埘dlh c盯eflllly between theload theminimumnoise a renectionco. r。ands^,whe陀r。isimpedancepmviding figIlre锄ds1.isconjugate emcientof thentheLNA noisematch彻d match source北一 Sll,蚰d c蚰achieve叩timal conjugate8imult锄eously.^J∞the riesfeedbackc粕incre鹊etIIe oftIle thati8fabricatedacommercialpseudomorphic stabilityLNA.The枷pli矗er by 0.18斗m a of瑚陀th锄10dBin 0f29to33GHz mnge hi出elec咖n-mobil崎tmnsistor(pHEMT)h船achievedgain tlIe‰qIlency andanoi8e 0f2.3dBat30GHz.’111esizei81.4×O.9

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