sic稀磁半导体材料研究进展 recent development of sic-based diluted magnetic semiconductors materials.pdfVIP

纳米材料与结构 Nanomaterial＆Structure SiC稀磁半导体材料研究进展 金成刚南C，吴雪梅¨，诸葛兰剑b‘ (苏州大学a．物理系；b．分析测试中心；C．江苏省薄膜材料重点实验室，苏州215006) 摘要：稀磁半导体(DMS)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性，具有优异的磁、磁光、磁 电等性能，在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。系统地概述了SiC基 DMS材料的研究进展，介绍了材料的制备方式、结构、性质、铁磁性起源的机理以及器件潜在 的应用前景。结合本实验小组的研究工作，重点阐述了材料的结构以及磁性机制。 关键词：碳化硅；稀磁半导体；过渡金属 中图分类号：TN304．7文献标识码：A 文章编号：1671．4776(2007)12—1053．06 Recent ofSiC-BasedDiluted Development SemiconductorsMaterials Magnetic Jin Chenggan94。．WuXuemei“。．ZhugeLanjian6，。 (a and Thin DepartmentofPhysics；b．Ana!ysisTestingCenter；C．JiangsuKeyLaboratoryof Film, Soochmv University，Suzhou215006,China) Abstract：Diluted to an rolein semiconductors(DMS)are magnetic expectedplay important materialscienceandfuture and ofelectronsareaccommodatedintoa spintronics．Thechargespin inexcellent characteristic， and singlematter，resuhingmagnetism，magneto-optical magnetoelectricity other ofSiC—baseddiluted semiconductorswas introduced． properties．Recentprogress magnetic briefly The the mechanismofthe preparation methods，configuration，properties，andferromagnetismorigin materialsandthe ofthedevicewere thefocusOilthestructureof potentialapplications described，with thematerialsandthe mechanism． magnetic semiconductors：transitionmetals