现代集成电路制造工艺原理-第十四章.pptVIP

现代集成电路制造工艺原理 山东大学 信息科学与工程学院 王晓鲲 第十四章 光刻：对准和曝光 光学光刻 光刻设备 对准和曝光 光学光刻 曝光光线波长越短，能曝光出的特征尺寸就越小。 曝光的光线产生一定能量， 对光刻胶产生光化学反应是必不可少的。 光波的干涉 光学滤光器 电磁波谱 可见光：390-780nm 紫外光谱：4-450nm 曝光光源 汞灯 准分子激光 汞灯 光的强度 光强：单位面积的功率（mW/cm2） 曝光能量(曝光的剂量) =光的强度X曝光时间 单位：mJ/cm2 准分子激光 准分子激光 光的反射 光的折射 光线从一种透明介质进入另一种时发生的方向改变被称为折射 透镜 衍射 数值孔径 抗反射涂层 驻波效应 抗反射涂层 驻波 抗反射涂层 底部抗反射涂层 有机材料 旋涂 通过吸收光来减少反射 无机绝缘材料 等离子体增强化学气相淀积PECVD 通过特定波长相移相消起作用 顶部抗反射涂层 分辨率 分辨率：清晰分辨出硅片上间隔很近的特征图形对的能力。 分辨率公式 R＝ｋλ／ＮＡ k为工艺因子 λ为光源的波长 NA 为曝光系统的数值孔径 焦深 在焦点周围的一个范围内，图像连续地保持清晰，这个范围被称为焦深（DOF）。 焦深方程式 DOF= λ 2(NA)2 光刻设备 接触式光刻机 接近式光刻机 扫描投影光刻机 分步重复光刻机 步进扫描光刻机 接触式光刻机 接触式光刻机 接触式光刻机用于分立器件产品、小规模（SSI）和中规模（MSI）集成电路，以及大约在5μm或更大的特征图形尺寸。 接触会损坏较软的光刻胶层或掩膜版，或二者皆受损。 接近式光刻机 掩膜版不与光刻胶直接接触，而是有大约2.5-25微米的间距。 有时被称做软接触机器 缓解沾污问题，但减小了系统的分辨能力。 适用于线宽尺寸2-4微米 扫描投影光刻机 扫描投影光刻机 掩膜版图形和硅片上的图形尺寸相同 适用于线宽大于1微米的非关键层 分步重复光刻机 步进扫描光刻机 投影掩膜版 主要用于亚微米光刻的投影掩膜版衬底材料是熔融石英。 在深紫外光谱部分有高光透射 非常低的温度膨胀 投影掩膜版上的不透明材料通常是一薄层铬 厚度通常小于1000?， 用溅射淀积 有时在铬上会有一层氧化铬（200?）抗反射层 投影版缩小的比例比较普遍使用的是5：1或4：1 投影掩膜版的制造 清洗掩膜版 旋涂电子束光刻胶 软烘 曝光（使用电子束）和显影 通过干法或湿法去掉铬薄膜 掩膜版损伤的来源 投影掩膜版损伤来源：投影掩膜版掉铬，表面擦伤，静电放电和灰尘颗粒 使用透光膜保护投影掩膜版可以解决颗粒沾污问题。 光学增强技术-相移掩膜技术 光学增强技术-光学临近修正 由于投影掩膜版上距离很近结构间的光衍射和干涉引起光学临近效应，光刻图像的线宽受附近结构影响。 引入可选择的图象尺寸偏差（变化）到掩膜版图形上，来补偿光学临近效应。 光学增强技术-离轴照明 光学增强技术-偏差 光刻偏差是掩膜版上的特征尺寸与复印在硅片上的尺寸的差距。 对准 套准精度是测量对准系统把版图套准到硅片上图形的能力。 套准容差大约是关键尺寸的三分之一。 对准标记 Photograph courtesy of Advanced Micro Devices * * 数值孔径NA=（n）sinθm *