第七章 硅太阳能电池的设计.ppt

* * 遮光损耗 由栅线遮光引起的功率损失比率是： 副栅线 主栅线 * 接触电阻损耗 接触电阻损耗仅是由副栅线所引起，相应的功率损失比率为： 式中： ρc为接触电阻率。 主栅线带来的功率损失 * 主栅线带来的功率损失=发射电极损耗+遮光损耗 将上式对WB求导，当导数为零时，得到最佳主栅线宽度： 及功率损失最小值： 当用逐渐变细（锥形）的主栅线（m=4）代替等宽度的主栅线（m=3）时，功率损失大约降低13%。 副栅线带来的功率损失 * 副栅线带来的功率损失 =发射电极损耗+遮光损耗+横向电阻损耗+接触电阻损耗 最佳主栅线宽度： 功率损失最小值： 7.6 光学设计 7.6.1 减反射膜 7.6.2 绒面 * 7.6.1 减反射膜 * 波长为λ0光束垂直入射中厚度为d1的透明层材料 当 时，反射率有最小值： 当 时，反射率R=0。 针对某一特定波长的光，选用相应厚度、折射率膜，能使反射的光减少到零。 减反射膜 * 设计薄膜的厚度和反射率，使波长为0.6μm的光的反射率达到最小。因为太阳光谱能量的峰值出现在0.6μm附近。 每一种厚度和折射率只能对应一种波长的光。 如果镀上多层减反射膜，能减少反射率的光谱范围将非常宽。但成本通常太高。 快速判断膜层厚度的方法 * 用Si3N4制成的减反膜 7.6.2 绒面 * 在硅表面制绒，可以增加光束入射到硅表面的次数，从而减小反射。 单晶硅绒面的刻蚀 * 一块单晶硅衬底可以沿着晶体表面111刻蚀便能达到制绒效果。 O A C D E F G 单晶硅绒面的刻蚀 * 另一种表面制绒方法： O A C D E F G 多晶硅绒面的制备 * 多晶硅表面制绒不能用刻蚀的方法，因为多晶硅表面上，只有一小部分面积才有111方向。 多晶硅制绒可以使用光刻技术和机械雕刻技术。 * 7.7 光谱响应 * 量子效率ηQ为每个入射的单色光光子在外部短接电路上所产生的流动电子数。 量子效率 光谱响应 * 电池的光谱响应，是指每单位入射单色光功率的短路输出电流与波长的函数关系。 第七章硅太阳能电池的设计 南京理工大学 材料科学与工程学院 * * 内容:讨论太阳能电池的设计细节 7.1主要考量 7.3 背面场 7.2 衬底的掺杂 7.4 顶层的限制 7.5 上电极的设计 7.6 光学设计 7.7 光谱响应 * 7.1 主要考量 7.1.1 光生载流子的收集几率 7.1.2 结深 7.1.3 顶层的横向电阻 * 7.1.1 光生载流子的收集几率 收集几率表示光照射到电池的某个区域产生的载流子被pn结收集并参与到电流流动的概率。 * * * 收集几率 收集几率是位置的函数，取决于光生载流子需要运动的距离和电池的表面特性。 * 3.如果载流子是在靠近电池表面区域产生，表面区域复合率较高，载流子极易被复合，收集几率几乎为零。 1. 在耗尽区，光生载流子的收集几率相同，这是由于该区域的电子空穴对被内电场迅速分开； 2.随着离耗尽区边缘的距离增加，收集几率呈指数衰减，其收集概率将下降。当载流子在与电场的距离大于扩散长度的区域产生时，那么它的收集概率是相当低的。 X’ X * 钝化处理 要降低表面区域的高复合率，可在表面镀上钝化层（通常为二氧化硅SiO2），中和硅表面的悬挂键。 硅太阳能电池的钝化层通常为绝缘体，金属电极区域不能钝化，所以在表面电极下面重掺杂n++，以减小表面复合的影响。 * 背面场（Back Surface Field） 金属电极和半导体之间的界面一般也是高复合速度区。 在电池背面，P区下方掺杂更多III族元素，形成重掺杂区P++，可以降低表面的复合速度。 * 处理后的收集几率 背面场提高了背电极处的光生载流子收集几率; 钝化处理提高了电池表面的收集几率; 两者最终增加了短路电流Isc。 * 7.1.2 结 深 假设减少的光能量全部用来产生电子-空穴对，那么对光强公式进行微分可以得到半导体中任何一个电子-空穴对的产生率G： 产生率表示单位体积单位时间产生的电子-空穴对数目，单位为m-3s-1。 当入射光谱为AM1.5时，Si材料内的产生率G。 电池表面的产生率最高 * pn结的深度 结尽可能靠近电池表面，以获得较大的短路电流。 电池表面的收集几率较低 * 太阳能电池的设计要素 吸收最大化 复合最小化 降低寄生电阻的影响 串联电阻 串联电阻由顶端电极电阻和发射区电阻组成，必须对电极进行设计和优化。 并联电阻和串联电阻都会降低电池的填充因子和效率