第七章(半导体存储器).ppt

第七章 半导体存储器 §7.1 概述 双极型 §7.3 随机存储器RAM 7.3.3 集成RAM芯片 6264 引脚图:地址线,数据线,控制线 容量计算 工作状态表7-3-2 §7.3.4 存储器容量的扩展 §7.4 只读存储器ROM §7.4.4 用ROM实现组合逻辑函数 * * 7-1 概述 7-2 随机存储器RAM 存储器容量的扩展 7-3只读存储器ROM 用存储器实现组合逻辑函数 7.1.2 半导体存储器的分类 7.1.1 半导体存储器的特点与应用 主要用于计算机和某些数字系统中,来存放程序,数据，资料等. 半导体存储器是用半导体器件来存储二值信息的大规模集成电路. MOS型 2.按存取方式分: 顺序存取存储器SAM(Sequential Access Memory) 1.由制造工艺分： 随机存储器RAM（Random Access Memory ） 静态RAM：SRAM 动态RAM：DRAM 只读存储器ROM （Read-Only Memory ROM） 固定ROM 可编程ROM：PROM 可擦除可编程ROM：EPROM 7.1.3 半导体存储器的主要技术指标 2.存取时间 1. 存储容量 位(Bit) 字(Word) 字 §7.3.1 RAM结构(如图7-3-1) 2.地址译码器： 地址输入 存储矩阵 行地址译码 读 写 控 制 I/O 列地址译码 地址输入 CS R/W 3.片选与读写控制 CS＝0 片选有效，可进行读写 R/w＝1 执行读操作 R/w＝0 执行写操作 1.存储矩阵 容量 存储单元结构(图7-3-2,4) 2114RAM（1024×4位） 1. 位扩展方式(图7-3-6) 例:8片1024×1位的RAM，构成1024×8位的RAM (控制线,地址线公用,数据线合并) 2. 字扩展方式(图7-3-7) 4片256×8位的RAM，构成1024×8位的RAM 3.字位均扩展:芯片计算 A9 A8 0 0 Y0=0 A7A6A5A4A3A2A1A0 000000000 ……CS=0 字线 0?255 0 1 Y1=0 …… 000000000256?511 1 0 Y2=0 000000000 ……512?767 1 1 Y3=0 000000000 ……768?1023 §7.4.1 固定ROM 电路结构 地址输入 存储矩阵 地址译码器 输出缓冲器 数据输出 地址译码器：将输出的地址代码翻译成相应的控制信号，把指定单元选 出，其数据送输出缓冲器 输出缓冲器 提高存储器带负载的能力 实现输出状态三态控制，与系统总线连接 1.二极管固定ROM W0 W1 W2 W3 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 A1 A0 地址译码器：将四个地址译成W0?W3四个高电平输出信号 (实现与逻辑—与矩阵) D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 存储矩阵：二极管编码器实现或逻辑—或矩阵) W0=1 EN=0 W1=1 EN=0 W2=1 EN=0 W3=1 EN=0 输出缓冲器：提高带负载能力 数据表 D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 A1 A0 0 0 0 1 1 0 1 1 位线 地址线 字线 数据表为： D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 W0=1 W1=1 W2=1 W3=1 D3’D2’ D1’D0’ 0 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 2. MOS管ROM 3. ROM阵列图 §7.4.2 PROM 没使用前，全部数据为1 要存入0： 找到要输入0的单元地址，输入地址代码，使相应字线输出高电平 在相应位线上加高电压脉冲，使DZ导通，大电流使熔断丝熔断 肖特基势垒稳压二极管 快速熔断丝 7.4.3可擦除可编程ROM (1)SIMOS结构图 N沟道增强型MOS管 注入前在控制栅Ge上加正常高电平时，能在漏-源间构成导电通道，使SIMOS导通 电荷注入后，需要在Ge上加更高压才能形成导电沟道——VTH提高(写入0) (2)注入:在漏-源间加高电压，使雪崩击穿，同时在Ge上加高压正脉冲，则在栅极电场作用下，一部分穿过SiO2