第三章_晶体生长2.ppt

内圆切割的优缺点： 优点： 技术成熟，刀片稳定性好，硅片表面平整度好。 缺点： 刀片厚度，在250-300μm左 右，也就是说约有一半的晶体硅的切片的速度慢、效率，切片后硅片的表面损伤大。 ②线切割 通过粘有金刚石颗粒的金属丝线的运动来达到切片的目的，如图4.20所示。 线切割的优缺点： 优点： ①效率高--每次切片250块以上（1台线切割机的产量=35台内圆切割机的产量）； ②耗材少--线切割的直径只有180μm； ③切割应力小，切割后表面损伤小。 缺点： ①硅片的平整度差； ②设备相对昂贵，维修困难。 晶体硅切割后，由于刀具的作用，在硅表面会有机械损伤层。 机械损伤层 碎晶层 位错网络区 弹性应变区 机械损伤层必须通过化学腐蚀予以去除。 从晶体生长看，连续加料直拉单晶硅技术可以节约时间、节约坩埚，但是，晶体生长设备的复杂度大大增加，也就是说设备的成本增加。因此，虽然连续加料生长直拉单晶硅的前景很好，但目前应用并不是很广泛。 太阳能用直拉三晶硅晶体生长 最近德国西门子公司发明了一种太阳电池用三晶硅晶体硅，其优点是其机械强度较普通直拉单晶硅高很多，因而在制备太阳电池的过程中，硅片的厚度可以被加工得很薄，达到150μm左右，从而单晶硅的成本有所降低。 三晶硅是有三个晶向都是110的单晶共同组成。在三晶硅中存在三个孪晶界，他们都垂直于（110）面，在晶体中心相交，形成三星状，孪晶界之间夹角为120°，如图4.14所示。 *孪晶：是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面（即特定取向关系）构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为孪晶，此公共晶面就称孪晶面。 г直拉三晶硅晶体生长技术的优势： ①生长速率快，有效缩短晶体硅生长时间； ②单晶硅机械强度得到增强。 г直拉三晶硅晶体生长技术的劣势： ①不可能生长出无位错的晶体，存在一定的位错密度； 直拉单晶硅的掺杂 直拉单晶硅为超纯材料，在实际应用中需要有意掺入一定量的电学杂质（掺杂剂），才能控制单晶硅的导电类型和电阻率，得到实际所需的单晶硅。 在实际应用中，选择何种掺杂剂取决于掺杂剂在硅熔体中的分凝系数、蒸发系数以及所需的掺杂量。 4.6.3.1 分凝和分凝系数 有两种或两种以上元素构成的固溶体，在高温熔化后，随着温度的降低将重新结晶，形成固溶体。 在结晶过程，浓度小的元素（作为杂质）在浓度高的元素晶体及熔体中的浓度是不同的，称为分凝现象。 “分凝系数”= (杂质在固相中的溶解度)/(杂质在液相中的溶解度) 对于p型掺杂，由于Al、Ga和In在硅中的的分凝系数很小，难以得到所需的晶体电阻率，所以很少作为单晶硅的p型掺杂剂；而B在硅中的分凝系数为0.8，而且它的熔点和沸点都高于硅，在熔硅中很难蒸发，是直拉单晶硅中最常用的p型掺杂剂。 P型掺杂 对于n型掺杂，P、As和Sb在硅中的分凝系数较大，都可以作为掺杂剂，他就恶化各有优势，应用于不同的场合。 n型掺杂 P是直拉单晶硅中最常见的n型半导体掺杂剂，而重掺杂n型单晶硅常用As和Sb作为掺杂剂。相对而言，As的分凝系数比Sb大，原子半径接近硅原子，掺入后不会引起晶格失配，是比较理想的n型掺杂剂；但是As及其化合物都有毒，会对人体和环境造成污染。 4.6.3.2 硅晶体掺杂浓度 太阳电池用直拉单晶硅一般利用高纯的硼（B）或磷（P）作为掺杂剂，掺杂剂本身的纯度超过99.999%-99.9999%，通过掺杂不同量的掺杂剂，单晶硅的电阻率得到控制。 单晶硅的电阻率ρ与掺杂浓度cs的关系式： σ为电导率；e为电子电荷；μ为电子或空穴的迁移率。 由图4.18可知，通过控制掺杂剂的浓度，就可以控制单晶硅的电阻率和载流子浓度。 单晶硅的电阻率主要取决于硅熔体中加入的掺杂剂的量。根据平衡分凝公式[式（4.14）]：k0=cs/cL，可以计算出硅熔体中需要掺入的杂质的质量： 式中，W为高纯多晶硅的重量；d为硅的密度；M为杂质原子量；N0为阿伏伽德罗常数；cs为硅晶体头部的杂质浓度。 在实际生产中，掺杂剂在硅熔体中的蒸发会直接影响直拉单晶硅的掺杂浓度。由于多晶硅的熔化和直拉单晶硅的晶体生长都需要一定时间，随着多晶硅的熔化和晶体生长的进行，蒸发系数大的杂质会不断地从硅熔体的表面蒸发，导致硅熔体中的相关杂质的浓度不断降低，此时实际单晶硅中的杂质浓度要低于计算值。 在直拉单晶硅中的掺杂量还受原料和石英坩埚质