第二章 常用半导体器件原理_201402_.ppt

第二章　集成运算放大器的线性应用基础 模拟电子技术基础 (4-*) Q点： UGS 、 ID 、 UDS vGS = VDS = 已知UP ，由 VDD - ID (Rd + R ) - iDR 可解出Q点的 UGS 、 ID 、 UDS 放大器件静态工作点的概念 (4-*) 1 BJT的小信号建模 3 共射极放大电路的小信号模型分析 ? H参数的引出 ? H参数小信号模型 ? 模型的简化 ? H参数的确定 （意义、思路） ? 利用直流通路求Q点 ? 画小信号等效电路 ? 求放大电路动态指标 ? 输入电阻 ? 输出电阻 2 放大电路的主要性能指标 ? 增益 2.6 晶体三极管和场效应管的低频交流小信号简化模型 (4-*) 建立小信号模型的意义 建立小信号模型的思路 当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。 由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。 2.6 晶体三极管和场效应管的低频交流小信号简化模型 (4-*) 三极管的微变等效电路 依据不同的推导方法，三极管的微变等效电路分为两类： 1、网络参数等效电路：（H参数等效电路） 将三极管看作一个二端口网络，画出其H参数等效模型 2、物理模型等效电路：（混合∏型等效电路） 是模拟晶体管物理结构，推导出的等效电路 注：第二种完全可以代替第一种，既可以分析高频电路，也 可以分析低频电路，第一种只能分析低频电路。 (4-*) H方程与参数 (4-*) H方程与参数 (4-*) H方程与参数 (4-*) (4-*) 输入回路 iB uBE 当信号很小时，将输入特性在小范围内近似线性。 ?uBE ?iB 对输入的小交流信号而言，三极管相当于电阻rbe。 rbe的量级从几百欧到几千欧。 对于小功率三极管： (4-*) 输出回路 (1) 输出端相当于一个受ib 控制的电流源 (2) 考虑 uCE对 iC的影响，输出端还要并联一个大电阻rce rce的含义 ?iC ?uCE iC UA uCE 0 厄尔利电压 2.5　场效应管 场效?应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制 输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。 由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 FET 英文为（Field Effect Transistor），简写成FET。 2.5.1　结型场效应管 2.5　场效应管 电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向 (4-*) S-----称为源极 D-----称为漏极 G-----称为栅极 电路符号 （N沟道） N型两侧高浓度扩散两个 ，形成 ，中间为导电沟道。 两个 引一个电极，N区引两电极S、D。 2.5.1　结型场效应管 一、工作原理 饱和电流 IDSS 夹断电压UGS(off) 栅极电流 IG ? 0 输入阻抗很大 UGS增大?导电沟道变窄?ID减小 二、输出特性 恒流区(| uGS | ? | UGS(off) |且| uDG | = | uDS - uGS | | UGS(off) | ) uGS和iD为平方率关系。预夹断导致uDS对iD的控制能力很弱。 可变电阻区(| uGS | ? | UGS(off) |且 | uDG | | UGS(off) |) uDS的变化明显改变iD的大小。 截止区(| uGS | | UGS(off) |) iD = 0 三、转移特性 预夹断 (4-*) 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 2.5.2　绝缘栅场效应管 　　绝缘栅场效应管记为MOSFET，根据结构上是否存在原始导电沟道，MOSFET又分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。 绝缘栅场效应管基片引线上的箭头向内为N沟道，向外为P沟道 一、工作原理 UGS = 0 ID ＝ 0 UGS UGS(th) 电场 反型层 导电沟道 ID 0 UGS控制ID的大小 N沟道增强型MOSFET 　　N沟道耗尽型MOSFET在UGS = 0时就存在ID