第二章 常用半导体器件原理_201303_.ppt

第二章　集成运算放大器的线性应用基础 模拟电子技术基础 (4-*) 建立小信号模型的意义 建立小信号模型的思路 当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。 由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。 2.6 晶体三极管和场效应管的低频交流小信号简化模型 (4-*) 三极管的微变等效电路 依据不同的推导方法，三极管的微变等效电路分为两类： 1、网络参数等效电路：（H参数等效电路） 将三极管看作一个二端口网络，画出其H参数等效模型 2、物理模型等效电路：（混合∏型等效电路） 是模拟晶体管物理结构，推导出的等效电路 注：第二种完全可以代替第一种，既可以分析高频电路，也 可以分析低频电路，第一种只能分析低频电路。 (4-*) H方程与参数 (4-*) H方程与参数 (4-*) H方程与参数 (4-*) (4-*) 输入回路 iB uBE 当信号很小时，将输入特性在小范围内近似线性。 ?uBE ?iB 对输入的小交流信号而言，三极管相当于电阻rbe。 rbe的量级从几百欧到几千欧。 对于小功率三极管： (4-*) 输出回路 (1) 输出端相当于一个受ib 控制的电流源 (2) 考虑 uCE对 iC的影响，输出端还要并联一个大电阻rce rce的含义 ?iC ?uCE iC UA uCE 0 (4-*) iC uCE 近似平行 ?iC ?uCE 2.5.1　结型场效应管 2.5　场效应管 (4-*) S-----称为源极 D-----称为漏极 G-----称为栅极 电路符号 （N沟道） N型两侧高浓度扩散两个 ，形成 ，中间为导电沟道。 两个 引一个电极，N区引两电极S、D。 一、工作原理 饱和电流 IDSS 夹断电压UGS(off) 栅极电流 IG ? 0 输入阻抗很大 UGS增大?导电沟道变窄?ID减小 二、输出特性 恒流区(| uGS | ? | UGS(off) |且| uDG | = | uDS - uGS | | UGS(off) | ) uGS和iD为平方率关系。预夹断导致uDS对iD的控制能力很弱。 可变电阻区(| uGS | ? | UGS(off) |且 | uDG | | UGS(off) |) uDS的变化明显改变iD的大小。 截止区(| uGS | | UGS(off) |) iD = 0 三、转移特性 预夹断 (4-*) 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 2.5.2　绝缘栅场效应管 　　绝缘栅场效应管记为MOSFET，根据结构上是否存在原始导电沟道，MOSFET又分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。 一、工作原理 UGS = 0 ID ＝ 0 UGS UGS(th) 电场 反型层 导电沟道 ID 0 UGS控制ID的大小 N沟道增强型MOSFET 　　N沟道耗尽型MOSFET在UGS = 0时就存在ID = ID0。UGS的增大将增大ID。当UGS 0时，且| UGS | 足够大时，导电沟道消失，ID = 0，此时的UGS为夹断电压UGS(off) 。 N沟道耗尽型MOSFET 二、特性曲线 预夹断 N沟道增强型MOSFET ?n为导电沟道中自由电子运动的迁移率； Cox为单位面积的栅极电容； W 和 L分别为导电沟道的宽度和长度，W / L为宽长比。 N沟道耗尽型MOSFET (4-*) 关于场效应管符号的说明： N沟道增强型MOS管，衬底箭头向里。漏、衬底和源、分开，表示零栅压时沟道不通。 表示衬底在内部没有与源极连接。 N沟道耗尽型MOS管。漏、衬底和源不断开表示零栅压时沟道已经连通。 N沟道结型MOS管。没有绝缘层。 如果是P沟道，箭头则向外。 2.5.3　各种场效应管的比较以及场效应管与晶体管的对比 电路符号 特性曲线 双极型晶体管 场效应晶体管 结构 NPN型