第五章 存储器及存储器子系统.ppt

微机原理与接口技术 第五章 存储器及存储器子系统 5.1 存储器概述 5.2 半导体静态存储器 5.3 动态RAM存储器 5.4 存储器的接口设计 重点掌握 5.5 高速缓冲存储器 5.6 虚拟存储器 5.1 存储器概述 存储器的主要技术指标有： 存储容量 存储容量＝存储字数（存储单元数）×存储字长（每单元的比特数） 存取速度 存取时间TA、存取周期TM。数据传送速率BM BM＝W/TM（bit/s） W：系统总线宽度 体积和功耗 应越小越好 可靠性 平均故障间隔时间MTBF越长越好 5.1.2存储器的分类 按照存储介质，可分为半导体存储器、磁介质存储器和光存储器。 按照存储器与CPU的耦合程度，可分为内存和外存。 按存储器的读写功能，分为读写存储器和只读存储器。 按掉电后存储的信息可否保持，分为易失性（RAM）存储器和非易失性存储器（ROM）。 5.1.2存储器的分类 按照数据存取的随机性，分为随机存取存储器（RAM）、顺序存取存储器（SAM）和直接存取存储器（DAM）。 按访问的串并行性，分为并行存取存储器和串行存取存储器。 5.1.2存储器的分类 按照存储器的寻址方式，分为按地址寻址的存储器和按内容寻址的存储器（CAM，相联存储器）。 按照半导体存储器的信息存储方法，分为静态（S）存储器和动态（D）存储器。 按存储器的功能，分为系统存储器、显示存储器、控制存储器等。 5.1.3内存的基本组成 5.1.4存储系统的层次结构 1．程序的局部性原理 5.2 半 导 体 静 态 存 储 器 SRAM和各种类型的ROM都属于半导体静态存储器。 静态存储器无需复杂的刷新电路，可长期工作在稳定状态。 5. 2. 1 SRAM存储器 相对于DRAM而言，SRAM的速度快、接口简单、读写操作简便，但存储密度较高、存储容量较小、价格也比较高，通常在不需要太大的存储容量的小型计算机系统（例如嵌入式系统）中作为RAM存储器使用，或是在多级存储系统中被用于构成cache存储器。 1．SRAM的基本存储单元 2．SRAM的内部结构与外部特性 SRAM内部一般由行／列译码器、存储矩阵、读写控制电路、输入/输出数据缓冲器等组成。 /WE为写使能信号 /OE为输出使能信号 /CS为片选信号 5.2.2 UV-EPROM存储器 UV-EPROM为紫外线电擦除可编程只读存储器，是用绝缘栅MOS管构成的，它利用与周围完全绝缘的栅极（称浮栅）上是否带有电荷来决定存储的信息是1还是0。 5.2.3 EEPROM存储器 EEPROM（E2PROM）电可擦除只读存储器是在绝缘栅MOS管的浮栅附近再增加一个栅极（控制栅）。给控制栅加一正电压，就可在浮栅和 漏极之间形成厚度不足200A的隧道氧化物。 5.2.4??闪速存储器 1、特点是： P198 (1)-(5) （1）按区块（sector）或页面（page）组织 （2）可进行快速页面写入 （3）具有内部编程控制逻辑 （4）具有在系统编程能力 （5）具有软件和硬件保护能力 1．闪存的内部组织 （1）闪存的特点： P198 ①－④ （2）闪存的组织结构有两种： ①按页面组织 ②按区块组织 2．闪存芯片举例 3．闪存的应用 存储监控程序、引导程序或BIOS等基本不变或不经常改变的程序。 储存在掉电时需要保持的系统配置等不常改变的数据。 固态盘应用。 5.3 动态RAM存储器 5.3.2? DRAM的管脚信号与读写操作 5.3.3? DRAM的刷新 DRAM的刷新操作是周期性的，整个存储器进行一次刷新操作的时间间隔称为刷新周期。刷新周期一般为2ms，4ms或8ms。 1．DRAM的刷新策略 （1）集中刷新 （2）分散刷新（隐式刷新） （3）异步刷新 2．DRAM的刷新模式 （1）只用 信号的刷新模式? （2） 在 之前的刷新模式 分别参见P206图5.13及图5.14 5.3.4 DRAM控制器 5.3.5 PC机的DRAM存储器 由于DRAM的存储密度较高，因而非常适于在需要较大容量存储器的系统中作为随机存取存储器。PC微机即采用各种类型的DRAM作为可读写主存。 1．PC机随机存储器的演变 （1）FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM） （2）EDO DRAM（Extended Data Out DRAM） （3）SDRAM（Synchronous DRAM） （4）RDRAM（Rambus DRAM） （5）DDR SDRAM（Double Date Rate SDRAM） 2．D