第八章 半导体的其它接触.ppt

第八章　　半导体的其它接触 §8.1 金属和半导体的接触 §8.2 半导体表面与MIS结构 §8.3 半导体异质结构 半导体的功函数 对于同一种半导体材料，p型的Ws比n型的大。 二、金属-半导体接触 当两种不同的物体相互电接触时，两者构成了一个系统。对于处于平衡态的系统来说，要求各自的化学势（费米能级）相同。 由于费米能级代表电子的填充情况，所以费米能级的变化必定引起电子在两个物体之间的流动。 或者说，由于原先两种物质内的传导电子能量不同（即费米能级不同），因此，接触后电子从能量高的一方流到能量低的一方，流出的一方能量降低，最后两者的费米能级达到一致。 金-半接触概况 金属—半导体接触后两者的费米能级相同，接触电势差等于两者的功函数差。 由于半导体内载流子浓度较小，因此半导体表面区域附近存在一个空间电荷区。 由于空间电荷区的存在，在金属与半导体之间有一个自建电场。 由于金属侧的空间电荷层实际上只有最外一层原子，所以接触电势差主要落在半导体一侧。 空间电荷区内各处电势不同，因此电子能级随空间位置变化，即能带弯曲。 由于接触前半导体的费米能级比金属的高，则接触后电子从半导体流向金属。 因此平衡时，金属表面带负电而半导体表面带正电，电场方向从半导体指向金属，因此由半导体表面向体内电势升高，相应的半导体表面电子能带较体内的高。 对于n型半导体，表面电子浓度比体内的低，所以称为耗尽层，但对p型半导体来说，表面空穴浓度比体内高，所以称为积累层。 接触后电子从金属流入半导体，所以金属表面带正电，半导体表面带负电。 自建电场方向为金属到半导体体内，因此半导体表面电势较体内的高，相应表面的电子能带较体内的低。 对于n型半导体，表面电子浓度较高，为积累层，对p型半导体，空穴浓度较体内的低，为耗尽层。 负电荷的来源：对于n型，负电荷来源于导带电子的增加，而对于p型，负电荷来自电离的受主离子。 三、金属-半导体接触的整流现象 整流：单向导电 阻挡层具有整流作用。 由于空间电荷区内载流子浓度较小，外加电压基本上降落在半导体的表面层上。 正向偏压：以n型阻挡层为例 金属加正压，半导体加负压； 半导体体内的费米能级相对金属中的向上移动qV，接触电势差减小相应的值。 电子从半导体向金属的运动变得较为容易，而金属向半导体的势垒高度没有变化，故电子从金属流向半导体的流密度不变。 有净电子流，方向从半导体到金属，由n型半导体中多子构成。因此电流方向为金属到半导体。 四、伏安特性 从金属到半导体的势垒高度不随外界偏压变化，因此从金属流向半导体的电流不随外加电压变化。 所以流过金-半接触的总电流为 反向饱和电流与外加电压无关，但更强烈地依赖于温度。 一、表面态 二、表面电场效应 在金属板与半导体之间加一电场，电力线由金属到半导体表面。没有外场时，半导体表面不带电荷。加上外场时，由于感应，在半导体表面感生出电荷，其总量等于金属板上的电荷，类似与平板电容器。 金属的传导电子密度很高，电荷集中在表面极薄的一层内，大约为0.1纳米的量级。 半导体的载流子密度较低，一般比金属中的自由电子密度低几个数量级，因此半导体内在靠近表面的一定深度内产生一个空间电荷区，厚度一般为几百埃至几千埃甚至更大。 空间电荷区的存在，使得半导体内有电场存在，所以相应的产生一个电势分布。这个电势的存在使得能带发生弯曲。常称空间电荷区两端的电势差为表面势。 由于半导体与金属处于电连接状态，所以平衡时两者的费米能级应该相同，因此对空间电荷区内的电子来说，导带底及价带顶与费米能级的位置必然发生变化。 由于费米能级相对位置变化，必然导致空间电荷区的载流子浓度发生变化。 多子堆积状态 表面势Vs为负值，表面处能带向上弯曲。 随着向表面接近，价带顶将逐渐移近甚至高过费米能级，价带中空穴浓度随之增加。 多子（空穴）在半导体表面层堆积，堆积的空穴分布在靠近表面的薄层内。 多子耗尽状态 表面势Vs为正值，表面处能带向下弯曲。 越接近表面，价带顶将逐渐远离费米能级，价带中空穴浓度随之降低。 当VG比较大时，表面处的空穴浓度比体内低得多，表面层的负电荷基本上等于电离受主杂质浓度。表面层的这种状态称为耗尽。 少子反型状态 如果VG（0）进一步增大，表面处能带相对体内进一步向下弯曲。 表面处费米能级可能高于Ei，即电子浓度超过空穴浓度，即形成反型层。 反型层和半导体内部之间还夹着一层耗尽层。 这种情况下，空间电荷层内负电荷由两部分组成。 表面层电容 (b)平带：Vs=0 （c）耗尽： Vs0 (d)反型状态 开启电压VT：使半导体表面达到强反型时加在金属电极上的栅电压。 成象CCD器件的结构框图 MOS电容 （a）n沟 （b）p沟 MOS电容 §8.3 半导体异质结构 突变反型异质