vgf法生长半导体晶体的研究进展-激光与红外.pdfVIP

第４５卷　 第５期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．５ 　 ２０１５年５月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｍａｙ，２０１５ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１５）０５０４７６０７ ·综述与评论 · ＶＧＦ法生长半导体晶体的研究进展 范叶霞 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：ＶＧＦ法可实现晶体生长条件可控，晶体重复性好，所生长晶体尺寸大、位错密度低、应 力小，是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了ＶＧＦ法生长半导体晶体、数值模拟和磁 场应用的国内外研究进展。 关键词：ＶＧＦ法；半导体晶体；晶体生长 中图分类号：Ｏ７３　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１５．０５．００２ Ｒｅｓｅａｒｃｈｐｒｏｇｒｅｓｓｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｗｔｈｂｙＶＧＦｍｅｔｈｏｄ ＦＡＮＹｅｘｉａ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＡｓＶＧＦｍｅｔｈｏｄｈａｓｔｈｅａｄｖａｎｔａｇｅｓｏｆａｃｃｕｒａｔｅｃｏｎｔｒｏｌａｎｄｈｉｇｈｒｅｐｅａｔａｂｉｌｉｔｙ，ｉｎａｄｄｉｔｉｏｎ，ａｓｉｎｇｌｅｃｒｙｓｔａｌ ｗｉｔｈｌａｒｇｅｄｉａｍｅｔｅｒ，ｌｏｗｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｄｅｎｓｉｔｙａｎｄｓｍａｌｌｔｒｅｓｓｃａｎｂｅｇｒｏｗｔｈｂｙＶＧＦｍｅｔｈｏｄ，ｉｔｈａｓｇｏｏｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｓｐｅｃｔＩｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｒｅｓｅａｒｃｈｐｒｏｇｒｅｓｓｏｆｃｒｙｓｔａｌｇｒｏｗｔｈ，ｎｕｍｅｒｉｃａｌｓｉｍｕｌａｔｉｏｎａｎｄｍａｇｎｅｔｉｃａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｂｙＶＧＦ ｍｅｔｈｏｄｉｓｒｅｐｏｒｔｅｄ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＶＧＦｍｅｔｈｏｄ；ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｃｒｙｓｔａｌ；ｃｒｙｓｔａｌｇｒｏｗｔｈ １　引　言 等单晶。 ＶＧＦ（ｖｅｒｔｉｃａｌｇｒａｄｉｅｎｔｆｒｅｅｚｅ，ＶＧＦ）法即垂直梯 ＶＧＦ法与垂直布里奇曼 （ｖｅｒｔｉｃａｌＢｒｉｄｇｍａｎ， 度冷凝法是由美国学者Ｓｏｎｎｅｎｂｅｒｇ等人开放的一项 ＶＢ）法的生长原理是相似的，熔体在坩埚中自下而 ［１］ 专利技术 ，近年来，国内外的科研人员对 ＶＧＦ法 上冷却，实现晶体的结晶和定向生长，且晶体的尺寸 生长单晶进行了大量的实验研究，并取得了诸多的 是固定不变的，无需考虑晶体直径控制问题。两种 成果。２０世纪８０年代中后期，美国贝尔实验室的 技术的不同之处是，在ＶＢ法晶体生长过程中，生长 ［２－３］ Ｍｏｎｂｅｒｇ等人 利用ＶＧＦ法生长了磷化铟（ＩｎＰ） 炉的温度是固定不变的，利用机械的作用使坩埚或 和砷化镓（ＧａＡｓ）晶体，首次将 ＶＧＦ技术应用于半 是炉体产生移动，当固－液界面经过温度梯度区结 导体化合物单晶生长。随着ＶＧＦ技术的不断改进， 晶成核，实现晶体生长；而在ＶＧＦ法晶体生长过程 更多的半导体单晶被生长出来，如碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ） 中，坩埚和炉体位置均是固定不动的，改变的是温 ［４］ 单晶 ，ＳＩＧａＡｓ单晶等。如今该方法已经被成功 度，晶体生长时进行缓慢降温，晶体形核。ＶＧＦ法 应用于ＧａＡｓ晶体、ＩｎＰ晶体、Ｇｅ单晶等半导体单质 可实现晶体生长过程中温场的人为设定，实现预先 及化合物的单晶生