固体薄膜导热系数的分子动力学分析研究.pdfVIP

摘要 固体薄膜导热系数的分子动力学研究 研究生：周启明 指导老师：陈云飞 摘要 随着物理气相沉积、化学气相沉积、液相外延、分子束外延、激光切割等技术的日 益成熟，固体薄膜材料作为简单的纳米二维结构，已经在大规模集成电路以及微机电器 件中得到广泛应用。因此，固体薄膜材料热学性质的研究对于保障器件工作的高效性以 及稳定性有着极其重要的意义。 以硅晶体为研究材料，采用平衡态分子动力学模拟与理论计算相结合的方法，探讨 了传统量子化修正方案的可靠性。研究表明，传统量子化修J下方法中根据热流相等的假 设进行的导热系数修正在低温区域可能不再适用。在此基础上，提出了新的导热系数量 子化修正方法。使用该方法修正后，模拟得到不同成分组成的体态硅的导热系数在200～ 1000K温度范围内与Holland理论模型预测值和实验值均吻合较好。 同时，采用非平衡态分子动力学模拟研究了硅／锗薄膜的界面导热性能。研究表明， 在400--900K温度范围内，界面处出现一定厚度的原子互渗区域有助于降低硅／锗薄膜 直接接触时的失配度，从而提高系统的导热系数；温度为400K时，当互渗厚度大于2 个元胞时，由于硅锗互渗