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反应溅射法制备氮化铝薄膜及工作气压对其场发射性能的影响
第 卷 第 期 液 晶 与 显 示
年 月
文章编号
反应溅射法制备氮化铝薄膜及
工作气压对其场发射性能的影响
李松玲王如志 赵 维王 波严 辉
北京工业大学 材料科学与工程学院北京
摘 要采用反应磁控溅射法在不同工作气压 下沉积了一系列氮化铝 薄膜研究发现
在保持其他工艺参数不变的条件下工作气压对薄膜厚度的影响很小场发射性能测试表明在较低的工作
气压 和 下制备的 薄膜具有一定的场发射性能扫描电子显微镜 图像显示在较
高的工作气压 下制备的薄膜易产生空位及微空洞等缺陷使薄膜致密性下降电子在薄膜中的输运
因受到缺陷的散射而不能隧穿表面势垒进行发射研究表明为获得具有良好场发射性能的 薄膜若采
用反应磁控溅射法应选取较低的工作气压同时对于薄膜型阴极具有紧密晶粒结构及较小缺陷的薄膜可
能具有更优异的场发射性能
关 键 词氮化铝薄膜场发射工作气压缺陷
中图分类号 文献标识码
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