功率vdmos器件的研究与发展 research and development of power vdmos devices.pdfVIP

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2017-08-31 发布于上海
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功率vdmos器件的研究与发展 research and development of power vdmos devices

功率VDMOS器件的研究与发展杨法明杨发顺张锗源李绪诚张荣芬邓朝勇贵州大学理学院电子科学系贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025 摘要:简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率 VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅 VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析。对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅 VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VD MOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势。功率器件;垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS);击穿电压;导通电阻;SiC材料 TN386.1 A 1671-4776(2011)10-0623-07 ResearchandDevelopmentofPowerVDMOSDevices YangFaming YangFashunZhangZheyuan LiXucheng ZhangRongfenDengChaoyong 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.10.002 2011-05-16 贵州省科学技术基金 (黔科合J字[2008]-2213,[2010]-2134);贵州省优秀青年科技人才(黔科合人字[2009]-15);贵州省高层次人才基金(TZJF-2008-31);贵州大学自然科学青年科研基金项目([2009]-017) 求不高区电宽比层掺 @@[1]蒋超,陈海民,电力电子器件发展概况及应用现状[J].世界电子元器件,2004(4):74-76. @@[2]赵定远,赵莉华,现代电力电子器件的发展[J].成都大学学报,2007,26(3):210-214. @@[3]唐苏亚.电力电子器件的现状及将来动向[J].微电机, 2000,33(5):32-34. @@[4] TARUIY,HAYASHIY,SEKIGAWAT.Diffusionself-aligned enhance-depletionMOS-IC[C]//Proceedingsofthe2nsConfe renceSolidStateDevices.Tokyo,Japan,1970:193-198. @@[5] TSIBUKISTD,KRIEZISEE.VVMOSpowertransistor: upperandlowerboundsoftheon-resistance[J]. Electronics Letters,1981,17(10):353-355. CircTechnol.Beijing,China,1998:141-144. @@[6] LANEWA,SALAMACAT.EpitaxialVVMOSpower @@[24] CHENXB.Semiconductorpowerdeviceswithalterna-ring transistors[J]. IEEETranonElectronDevices,1980,27 conductivitytypehigh-voltagebreakdownregions:United (2):349-355. StatesPatent,5216275[P].1993-06-01. @@[7] TEMPLEVAK,LOVERP,GRAYPV.A600-voltMOS @@[25] LORENZL.Coolmos:anewmilestoneinhighvoltagepower FETdesignedforlowon-resistance[J]. IEEETranson MOS[C]