沟槽栅低压功率mosfet的发展(上)——减小漏源通态电阻rds(on) the development of low-voltage trench gate power mosfets(part ⅰ)——reducing drain-source on-resistance rds(on).pdfVIP

——减小漏源通态电阻Rds(∞) f 吴晓鹏，张娜 北京工业大学功率器件及功率集成电路研究室 摘要：近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文对该方面 的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻R出(。，方面的技术发展，下篇着重于降低优值FOM 方面的技术发展。 关键词：MOSFET，通态电阻，FOM The of TrenchGatePower DevelopmentLow-voltage I) on-resistance drain-source ——Reducing Rds(on) ZHANG WU，Na XiaoPeng LabofPowerSemiconductorDevicesand of ICs，BeiJingUniversityTechnology of MOSFETtrench has Abstract：RecenⅡy，theperformancelow-voltagepowerswitching using technologyimproved articlediscussesthenew ofthesedevices．Thefocusesonthe rapidly．This developments part-I technologydevelop- ments on-resistance．Thewilltreatwith ofMerit． reducing part-11 decreasingFigure words：MOSFET，on—resistance，FOM ’ Key 回顾功率半导体器件的发展，大致可分为三个 metal 不能满足发展的要求。功率MOSFET(power 阶段。第一阶段是六十到七十年代，各种类型的晶 oxidesemiconductorfield—effect 闸管、功率二极管和大功率达林顿晶体管有很大的 功率器件的发展注入了新的活力。功率MOSFET以 发展，所以可称为是双极型时代。在这一阶段器件 其开关速度快、频率性能好、输入阻抗高、驱动功率 主要是应用在高压低频条件下，额定功率比较大， 小、温度特性好、无二次击穿问题等优点，在高频应 服务对象以工业应用为主，包括电力系统，机车牵 BJT)， 用的范围内代替了功率双极晶体管(power 引等。第二阶段是八十到九十年代，功率器件运用 将电力电子带人了一个新的阶段。二十一世纪前 的范围逐渐广泛，如图1，随着功率电子电路对工作 后，功率半导体器件的发展又进入了第三阶段，即 开关频率的要求越来越高，器件需要在较高的频率 电力电子技术逐步和集成电路融合的阶段。功率 下工作，传统功率晶体管由于开关速度较低，