硅基热电堆真空传感器的制造技术 fabrication technology of a silicon-based thermopile vacuum sensor.pdfVIP

第2期 微细加工技术 №．2 2008年4月 MICROFABRICATIONTECHNOLOGY Apr．．2008 文章编号：1003．8213(2008)02—0023．05 硅基热电堆真空传感器的制造技术 马斌，梁平治，陈世军，程正喜 (中国科学院上海技术物理研究所，上海200083) 摘要：发展了一种与CMOS工艺完全兼容并可在商业化的1．2“m标准cMOS生产流水线上进行 流片的硅基热电堆真空传感器的制造技术与流程。传感器为悬浮的多层复合薄膜结构，其上制作 了n型多晶硅加热器和20对由p型多晶硅条和铝条构成的热电堆。利用标准制造工艺中铝层图 形的掩蔽作用，使用干法刻蚀工艺一方面去除了传感器表面的SiN。层，使复合介质薄膜减至三层 介质，即场氧化层、硼磷硅玻璃和层间介质，从而提高了传感器响应率；另一方面去除了传感器区 域内腐蚀孔中的多层介质，将其中的硅衬底裸露，以便完成后续的四甲基氢氧化铵(TMAH)体硅 各向异性腐蚀工艺，使传感器成为悬浮绝热结构，这种工艺具备铝保护性能，因此腐蚀中无需任何 Pa～105Pa之间的响应电压为 掩模。最终得到的器件尺寸为124肛m×100牡m，在空气压强为0．1 26mV一50 ms—1．3 mV，响应时间为0．9 ms。这种器件的制造技术具有工艺简单、成品率高、成 本低、重复性好等特点。 关键词：真空传感器；热电堆；四甲基氢氧化铵；各向异性腐蚀 中图分类号：TB77；TN377；TP212文献标识码：A 基热电堆结构的器件尚未见报道。 1 引言 仅采用与cMOs工艺兼容的制造手段制备真空 传感器的方法，要进行量产是困难的，原因就在于这 在最近十多年中，随着微电子技术和微机械加 类方法仅仅是在材料的选择和制造工艺上实现了与 工技术的发展，国外硅基真空传感器的研究逐渐成 标准工艺兼容，但在设计规则、制造流程、工艺参数 为热点¨。5J，部分技术已开始进入实用化阶段。 等方面仍然存在大量特殊性，虽然可以因此实现优 MEMS硅基真空传感器尺寸小、质量轻、功耗低、响化设计并生产出性能出色的器件，但并不能移植到 应快，如果进一步采用与CMOS工艺完全兼容的制标准工艺线上进行批量生产。而采用商业化的标准 造技术，则可以在同一芯片上集成其它控制或处理 半导体器件生产流水线制造真空传感器，以部分牺 电路，形成微系统结构。这种器件能够在商业化的 牲器件的设计优化机会和性能为代价，换取低成本 半导体器件工艺流水线上进行低成本的大量生产， 的量产工艺技术，从产品研发的角度来看，应该是较 前景十分可观。美国MKS公司就已成功开发并量 为合理的选择，这在很大程度上可以提高器件的量 产了基于热敏电阻的925系列MicropiranP真空传产能力，降低器件成本，改善器件在生产过程中质量 感器蚓，荷兰xensorIntegration公司也开发并生产的一致性和稳定性。本文在这方面进行有益的尝 了基于热电堆的TcG．3880气体热传导传感器l7|。 试，设计制造了一种以热电堆为温度敏感结构的真 国内方面，利用MEMS工艺手段制造真空传感器的 CMOS 空传感器。利用完全商业化的标准1．2肛m 技术研究刚刚起步[8-10]，相关文献很少，而采用硅生产流水线完成了器件的主要制造程序，配合后续 收稿日期：2007．1mll；修订日期：2007一11．1l 员，主要从