第一章光电检测技术基础1(川大版).pptVIP

§1-3?半导体基础知识 载流子的运动 载流子漂移 1、载流子在外电场作用下，电子向正电极方向运动，空穴向负电极方向运动称为漂移。 2、在强电场作用下，由于饱和或雪崩击穿,半导体会偏离欧姆定律。 3、在弱电场作用下，半导体中载流子漂移运动服从欧姆定律。 4、讨论漂移运动的重要参量： ? 迁移率μ（电子迁移率μn，空穴迁移率μp），μ的大小主要决定于晶格振动及杂质对载流子的散射作用。??? §1-3?半导体基础知识 载流子的运动 载流子扩散 1、载流子因浓度不均匀而发生的从浓度高的点向浓度低的点运动。 2、光注入时，光在受照表面很薄一层内即被吸收掉。 3、受光部分将产生非平衡载流子，其浓度随离开表面距离x的增大而减小，因此非平衡载流子就要沿x方向从表面向体内扩散，使自己在晶格中重新达到均匀分布。 §1-3?半导体基础知识 载流子的运动 载流子漂移与扩散的并存 1、在半导体既受光照，又外加电场时，扩散与漂移同时存在。 2、扩散系数D（D表示扩散的难易）与迁移率μ（μ表示迁移的快慢）之间有爱因斯坦关系式： D=(kT/q)μ kT/q室温下为0.026V，D与μ成正比。 ?3、电子与空穴沿x轴扩散，但Dn≠Dp，故它们引起的扩散流不能抵消。在电场中多子、少子均作漂移运动，因多子数目远比少子多，所以漂移流主要是多子的贡献。 4、在扩散时，如光照产生非平衡载流子，此时非平衡少子的浓度梯度最大，所以对扩散流的贡献主要是少子。 §1-3?半导体基础知识 能带理论 热平衡态下的载流子 非平衡态下的载流子 载流子的运动 半导体对光的吸收 §1-3?半导体基础知识 能带理论 热平衡态下的载流子 非平衡态下的载流子 载流子的运动 半导体对光的吸收 能带理论 1．原子能级 2．晶体能带 晶 体 本征半导体 杂质半导体 P型半导体 N型半导体 §1-3?半导体基础知识 能带理论 1．原子能级 能级（Enegy Level）：在孤立原子中，原子核外的电子按照一定的壳层排列，每一壳层容纳一定数量的电子。每个壳层上的电子具有分立的能量值，也就是电子按能级分布。为简明起见，在表示能量高低的图上，用一条条高低不同的水平线表示电子的能级，此图称为电子能级图。 §1-3?半导体基础知识 能带理论 2．晶体能带 能带（Enegy Band）：晶体中大量的原子集合在一起，而且原子之间距离很近，以硅为例，每立方厘米的体积内有5×1022个原子，原子之间的最短距离为0.235nm。致使离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去，这种现象称为电子的共有化。从而使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。 §1-3?半导体基础知识 能带理论 电子共有化，能级扩展为能带示意图 a) 单个原子? b) N个原子 原子能带的表示方法 §1-3?半导体基础知识 能带理论 不同材料的能带表示 a) 绝缘体 b) 半导体 c) 金属 电子可以在金属中自由运动，所以导电性好， 电阻率为10-6—10-3Ω·cm。 §1-3?半导体基础知识 能带理论 晶 体 ??? 1、现代固体电子与光电子器件大多由半导体 材料制备，半导体材料大多为晶体。 2、晶体中原子有序排列，非晶体中原子无序 排列。 3、晶体分为单晶与多晶： ??? 晶体实物图 单晶——在一块材料中，原子全部作有规则的周期排列。 多晶——只在很小范围内原子作有规则的排列，形成小晶粒，而晶粒之间有无规则排列的晶粒界隔开。 §1-3?半导体基础知识 能带理论 晶体构造示意图 (a) 金刚石结构（Ge、Si晶体）? (b) 闪锌矿结构（GaAs晶体） §1-3?半导体基础知识 能带理论 本征半导体 1、结构完整、纯净的半导体称为本征半导体。例如纯净的硅称为本征硅。 2、本征硅中，自由电子和空穴都是由于共价键破裂而产生的，所以电子浓度n等于空穴浓度p，并称之为本征载流子浓度ni。 3、ni随温度升高而增加，随禁带宽度的增加而减小。 4、室温下硅的ni约为1010/cm3。 §1-3?半导体基础知识 能带理论 杂质半导体 1、半导体中人为地掺入少量杂质形成掺杂半导体。 2、杂质成分与含量对半导体导电性能影响很大。 3、在技术上通常用控制杂质含量（即掺杂）来控制半导 体导电特性。 §1-3?半导体基础知识 能带理论 N型半导体 1、在四价原子硅（Si）晶体中掺入五价原子，例