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半雷射的衰班物四乙姓名麒生指教授郭光教授目一前言活性的缺在高能密度下的面突然局限流介面的雷射二在高入射流密度下操作生高能量的子和洞陡度的差值改及在活性的高非放射合率些因素都可以造成一缺陷的移倍增及成成一的缺陷且都可以很明的造成雷射性能的衰雷射生突然的衰是因面通常生在及高能量的操作些晶的表面是有缺陷的晶格含有多可以吸收空中的空些缺陷所吸收的造成度的光吸收雷射平面的光度超必然的界值限在面的大到足造成面熔化因此面折射向藏式雷射使用反偏以局限流到活性在正常操作的老化程缺陷在局限流的介面生以少介面局限流到
--半導體雷射的衰減—
班級：物四乙
姓名：陳麒生
學號：8522016
指導教授：郭艷光 教授
目 錄
一、前言(1) 活性區的缺點結構；(2) 在高能密度下的鏡面突然損壞；(3) 局限電流介面的縮減。雷射二極體在高入射電流密度下操作會產生高能量的電子和電洞、熱陡度(thermal gradient)、應變場的差值改變、及在活性區的高非放射復合率。這些因素都可以造成單一缺陷的移動、倍增、及成長成一團的缺陷，且都可以很明顯的造成雷射性能的衰減。
雷射產生突然的衰減是因為鏡面損壞通常發生在脈沖及高能量的操作。這些晶體的表面是有缺陷的晶格，含有許多可以吸收空氣中雜質的懸空鍵。這些從
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