第2章高频小信号放大器(4学时).pptVIP

第2章 高频小信号放大电路 2.1概述 2.2谐 振 放 大 器 晶体管的Ｙ参数等效电路 2.3 单调谐放大器 单调谐放大器的增益带宽积为常数 关于谐振放大器的讨论 要有高的增益，应选择yfe大的晶体管 谐振回路的Q值越高，等效谐振电阻Reo越大，增益越高 放大器的带宽与谐振回路的Q值成反比 矩形系数不变，恒为9.95 晶体管的输出电阻、电容，下级负载电阻、电容都部分接入到谐振回路，它们的影响越小越好，因此接入系数越小越好，但太小增益也会同时减小 2.3.2多级单调谐放大器 多级放大器通频带 ｎ级单调谐放大器的矩形系数 2.3.3谐振放大器的稳定性 影响共射极调谐放大器稳定性的原因 以上我们在讨论谐振放大器时， 都假定了反向传输导纳ｙre＝0， 即晶体管单向工作 实际上ｙre ≠0， 即输出电压可以反馈到输入端。称为反向传输作用。如果这个反馈足够大， 就会影响放大器的谐振曲线，严重的时候甚至会形成正反馈，出现自激振荡。导致放大器不稳定 提高稳定性就要设法减小晶体管的反向传输作用 yre主要取决于晶体管的 选用 小的晶体管可以提高稳定性 提高调谐放大器稳定性的方法 中和法 在电路中接入中和电容，以抵消 的反馈作用 提高调谐放大器稳定性的方法 失配法 用共射—共基组合电路，以牺牲增益为代价获取稳定的增益 其他调谐放大器 双调谐放大器 以双调谐回路作负载 参次调谐放大器 多级调谐放大器组合，各放大器的中心频率不同，利用多级组合形成需要的频率特性 以其他选频元件作负载（如陶瓷滤波器，声表面波滤波器），可以选频，不能调谐 双调谐放大器 ????? ? ?? 临界耦合?? ???? 强耦合（谷点为0.7时） 通频带: BW0.7 =1.414fo/Q ????? BW0.7 =3.1fo/Q 选择性:K0.1=3.16 ??????? ????? K0.1=1.44 参次调谐放大器 单调谐+双调谐，也可以多级单调谐组合 场效应管高频放大器 噪声低、动态范围大、线性好 双栅效应管高频放大器 另一栅极用于AGC 控制 1、晶体管混合π型等效电路 rbb 基极体电阻 ,5 ~ 100Ω, rbb较小时，高增益和低噪声。 rbe 发射结等效电阻 100 ~ 2000Ω rbe =βre = β·VT/Ie 发射结等效电阻 re = VT/Ie≈26mV/Ie Cbe发射结电容 3 ~ 500pf rbc集电结电阻 2 ~ 5MΩ (可忽略) Cbc集电结电容 0.5 ~ 5pf 为内部反馈元件，严重影响放大器的高频性能。 简化的混合π型等效电路 2.晶体管的高频参数 3.晶体管高频工作的特点 一、共e、共b、共c放大器 1.共发(共e)宽带放大器 （1）Ai ，Av 均较大； （2）Ri ，R0? 均适中(容性:f H↑,等效R0?↓); （3）为提高?fH 射极加负反馈，虽工作稳定，但Av↓，且?fH 仍较低。 2.共基(共b)宽带放大器 （1）Ai1, Av 较大； （2）Ri 小，R0?容性； （3）?fH大，BW0.7Av 是共e放大器的2~8倍。 3.共集电极(共c)宽带放大器 （1）Ai较大，Av 1 ； （2）Ri 大，R0?小(感性:fH↑,等效R0?↑)； ?????? Ri 比低频工作时↓， （3）?fH与共e放大器同一数量级。 2.4.2展宽放大器频带的方法 1. 组合电路法 采用共射—共基组合电路 2.负反馈法 加入负反馈展宽频带 3.电感串并联补偿法 集电极串并联补偿电路 电噪声 噪声源：电阻、半导体元件（晶体管，场效应管、集成电路） 理想电抗元件不产生噪声 有关噪声的几个重要概念 本章小结 晶体管的高频模型 混合π型等效电路 Y参数等效电路 晶体管单调谐电路 增益、带宽、矩形系数的计算 这些参数与Q值，等效谐振电阻的关系 不稳定的原因及克服方法 中和法和失配法 宽带放大器 概念、展宽频带的主要方法 电噪声 有关噪声的主要概念 重要的公式 关于谐振放大器的讨论 要有高的增益，应选择yfe大的晶体管 谐振回路的Q值越高，等效谐振电阻Reo越大，增益越高 放大器的带宽与谐振回路的Q值成反比 矩形系数不变，恒为9.95 增益带宽积为常数 晶体管的输出电阻、电容，下级负载电阻、电容都部分接入到谐振回路，它们的影响越小越好，因此接入系数越小越好，但太小增益也会同时减小 注意：gm随工作点变化 gm 的计算方法 fβ? 共射截止频率?? fT?? 特征频率 fα? 共基截止频率?? fmax 最高振荡频率 ? 例：已知：电视高放管 fT=600MHz,βo=60 求：f工作为1