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消泡剂的选择 消泡剂的选择建议选择聚合分子型(PCG-PPG-PEG)，因为此种类型的消泡剂能在水中自行分解，对显影药水无污染反应。 顯影後水洗 由於顯影液為鹼性液體，本質上就是不易水洗乾淨，而且當顯像液溶入油墨後，任何殘留在銅面上的顯像液都會形成殘渣(Scum)，造成蝕刻殘銅、短路。為確保水洗乾淨應維持下列原則： ①需有三道以上循環水洗槽。 ②每個水洗槽至少有兩根水洗管道，並以扇型噴嘴前後與上下交叉佈置。 ③噴洗角度應互相重疊，且經常保持通暢。 ④壓力保持在20～30psi。 ⑤水洗槽全部長度應為顯影槽的3/4以上，須注意槽液負荷應與水洗時間成正比。 显影机的保养 由於油墨在顯影機被顯影液(Na2CO3)除去後，會形成殘渣留在溶液中，造成殘渣堵喷嘴及反沾的問題發生。爲了杜絕上述問題的發生，我們必須對顯影槽內部及水洗段進行大保養。以下就大保養程序做一介紹： 顯影槽保養 ①首先於建浴槽內加滿水，再添加兩包片鹼並均勻攪拌之，隨後將藥液引入顯影槽內。若顯影槽有兩槽，則需重複上一動作。之後令其運轉120分鐘。 ②將上述藥液排出，並於兩槽顯影槽內各加入适量清水，令其運轉中60分鐘。 ③清水洗完後，將其排出，並於建浴槽內加滿水，再添加兩桶純硫酸並均勻攪拌之，隨後將藥液引入顯影槽內。若顯影槽有兩个槽，則需重複上一動作。之後令其運轉120分鐘。 ④將上述藥液排出，並於兩槽顯影槽內各加入适量清水，令其運轉中60分鐘。 ⑤於建浴槽內加滿水，再添加1%純鹼並均勻攪拌之，隨後將藥液引入顯影槽內。若顯影槽有兩槽，則需重複上一動作。之後令其運轉60分鐘。 ⑥上述動作都完成後，就得以人工方式使用清潔粉清洗顯影槽、顯影噴管噴嘴、擋（切）水滾輪及吸水海綿。 水洗段保養 (1)先於水洗槽內加滿水，然後於各水洗槽內添加1～3%純硫酸，並令其運轉60分鐘。 (2)將水排出，以人工方式使用清潔粉清洗之。 顯影重點 1.顯影均勻性及顯影點測試 2.顯影新液添加量及pH值量測 3.消泡劑添加方式 顯影品質控制 控制項目 失控產生的不良 改善對策 顯影速度過快或過慢 過快：顯影不潔、残铜 過慢：顯影過度、缺口 依油墨廠商建議之顯 影速度，經實驗後制 定。 顯影溫度過高或過低 過高：顯影過度、缺口 過低：顯影不潔、残铜 依油墨廠商建議之顯 影溫度，經實驗後制 定。 顯影壓力不足或過大 不足：顯影不潔。 過大：顯影過度造成側蝕。 依油墨廠商建議之顯 影壓力，經實驗後制 定。 一般為1.5±0.5kg/cm2。 水洗壓力不足 不足：已顯影完的油墨 無法完全被水洗乾淨，而造成殘渣。 建議水洗壓力值為 1.5±0.5kg/cm2。 蚀 刻 工 序 蚀刻液:CuCl2溶液,開始時加入CuCl2和HCL反應:Cu+CuCl2→2CuCl 再生:2CuCl+H2O2→2CuCl2+2H2O 4CuCl+4HCl+O2→4CuCl2+2H2O 反應環境：HCl酸質控制 2～3N 蚀刻因數 Etching Factor（蝕刻因數）=t/X X=（梯形的下邊-上邊）/2 可接受：2～2.5 X t 蝕刻進行方式 第一階段 第二階段 第三階段 基材 铜泊 油墨 蚀刻速度和蚀刻因素 underetch perfect speed overetch a b Etch factor = a / b 基材 铜泊 油墨 蚀刻濃度與時間 蚀刻液濃度和蚀刻時間關係 蚀刻時間 濃度 Cu2+在一定範圍內的增加對蚀刻有促進作用,但超出範圍後會有一些護岸效應等不利影響,從而產生複雜情況. 蚀刻建議參數 1)氧化還原電位（ORP）：500～580mV 2)Cu含量:21～25oz/gal（157～186g/l） 3)溫度：52～54℃ 4)比重：1.24～1.28 槽液維護 酸性氯化銅蝕刻液的槽液維护主要包括：比重（S.G），雙氧水濃度（ORP氧化還原電位），及鹽酸（HCl）濃度，氯離子（Cl-）濃度、溫度、噴壓，抽風等。根據生産實踐經驗，比重（CuCl2含量）、鹽酸濃度、雙氧水濃度（ORP氧化還原電位值）、噴壓、對於蝕刻因數有最顯著的影響。 一般要有良好的蝕刻因數，又不影響蝕刻速度的設定如下： 比重（Cu2+）的控制 當比重升至1.32時，蝕刻因數(Etching facter)有顯著改善，但比重高於1.32之蝕刻速度將會下降25%，所以在不降低蝕刻速度的前提下，比重控制在1.28～1.32（銅離子濃度120～175g/L），最佳設定值1.30。 過高的雙氧水濃度會産生氯氣，另外隨雙氧水濃度升高，蝕刻因數、速度會有所下降。ORP氧化還原電位元控制範圍：500~580mv，最佳設定值520mv。 雙氧水濃度（ORP氧化還原電位） 噴 壓 鹽酸的當量濃度一般控制在2