第2世代宇宙用高信赖性パワーMOSFET-富士电机.PDF

富士時報　Vol.82 No.6 2009 第 2 世代宇宙用高信頼性パワー MOSFET 特 High Reliability Power MOSFETs for Space Applications 集 井上　正範 Masanori Inoue 小林　　孝 Takashi Kobayashi 丸山　　篤 Atsushi Maruyama 人工衛星などの宇宙機での使用を可能とした第 2 世代宇宙用高信頼性パワーMOSFET を開発 した。一般用途のMOSFET との大きな違いは，高エネルギー荷電粒子 と電離放射線 に対する耐性を持たせた点である。耐量を持たせるために電気特性 を犠牲 にしてきた。第 2 世代では，高エネルギー荷電粒子 に対する耐量を持たせるために，ドリフト拡散モデルに修正を行 いメカニズムのシミュレーションができるようにした。その結果，対策として，低比抵抗のエピタキシャル層を厚 く設ける ことでSEB （Single Event Burnout）耐量を確保 し，世界 トップレベルの宇宙用パワーMOSFET を製品化 した。 We have developed highly reliable and radiation-hardened power MOSFETs for use in outer space applications in satellites and space stations. The largest difference between these newly developed Rad-Hard Power MOSFETs and general-use MOSFETs is that they have ex- cellent durability against high energy charged particles and ionizing radiation. To provide increased durability, electrical characteristics had been sacrificed in the past. With this device, however, to provide durability against high energy charged particles, a drift diffusion model was modified so as to enable simulation of the mechanism. A power MOSFET designed for use in outer space applications and having the world’s top level performance is realized by providing a thick epitaxial layer with low specific resistance as a countermeasure to ensure durability against SEB (single event burn-out). 1　まえがき 宙 開発 事 業 団 （NASDA ：NAtional Space Development Agency of Japan）の主導 で日本 メーカーの技術力 を結 通 信 衛 星，気 象 衛 星，GPS