耗散腔场中双光子Tavies－Cummings模型量子纠缠分析＊.PDF

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2017-09-01 发布于天津
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耗散腔场中双光子Tavies－Cummings模型量子纠缠分析＊

（）第卷第期吉首大学学报自然科学版３２４Ｖｏｌ．３２Ｎｏ．４　　　　　　　年月（）２０１１７ＪｏｕｒｎａｌｏｆＪｉｓｈｏｕＵｎｉｖｅｒｓｉｔＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎＪｕｌ．２０１１　　　　　　　　　ｙ文章编号：（）１００７２９８５２０１１０４００５００５　　　耗散腔场中双光子模型ＴａｖｉｅｓＣｕｍｍｉｎｓ－ｇ量子纠缠分析＊，伊健邬云文　（，）吉首大学物理科学与信息工程学院湖南吉首４１６０００　：：摘要用共生纠缠度度量的方法来研究两原子在耗散和非耗散腔场中的量子纠缠研究结果表明通过控制相互作用．　；，时间能够制备出最大纠缠态且由于原子的双光子跃迁导致双光子模型是单光子模ＴａｖｉｅｓＣｕｍｍｉｎｓＴａｖｉｅｓＣｕｍｍｉｎｓ－ｇ－ｇ型在制备最大纠缠态上所需要的时间的且原子的自发辐射和腔场的损耗使得两原子的最大相干随时间呈周期性减小．．：；；；；关键词双光子模型量子相干共生纠缠度自发辐射系数腔场的损耗ＴａｖｉｅｓＣｕｍｍｉｎｓ－ｇ中图分类号：文献标志码：Ｏ４３１Ａ　　　　　　