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自激式反激变换器的分析与设计 摘要： 自激式反激变换器由于简单、原材料成本低，使其在对成本敏感的应用场合得到了广泛的应用。它被广泛应用在移动手机充电器和信息处理设备的离线式电源中的待机电源模块。然而，此电路的最优化设计几乎全部依赖于试验性的方式，因为它的工作原理通常是不易理解的。本文展示了自激式反激变换器的详细的稳态分析和小信号分析。并通过一个离线式５Ｖ/２Ａ的开关电源实例对控制电路和环路补偿的设计进行了介绍和验证。 导言 自激式反激变换器，通常表现为振铃抑制电路(RCC), 一款在低功率离线式应用中完善的低成本电路。因其电路的控制可以在不牺牲性能的前提下通过几个独立的元器件来完成，电路的总体成本通常低于传统的ＰＷＭ调制反激变换器。 总的来说，这个电路的原理是不易理解的。从根本上这是因为现存的文献大多以非常粗浅的方式来处理这个电路。因此，此变换器的设计通常遵循cut-and-try的试验性方式。而这是一个需要消耗时间的过程并往往得不到最优化的设计。 本文的主要目的是介绍了自激式反激变换器的完整的稳态分析和小信号分析，可用于电路的最优化设计。另外，通过一个离线式５Ｖ/２Ａ的待机电源模块对控制电路的详细设计步骤进行了介绍和验证。 工作原理分析 自激式反激变换器工作在连续电流模式和断续电流模式(CCM/DCM)的边界，应用峰值电流模式控制。因此，电路工作在宽范围变化的开关频率下。电路的控制可分解为几个离散的简单、高效的过程。脉宽的调制和开关的驱动由一个三极管、一个正反馈绕组和一个电阻分压网络来完成。在一些不需要高精度调制的场合，一个简单的反馈控制可由一个齐纳二极管来完成。然而，在需要严格的输出调制的场合，例如宽范围输入电压和宽负载电流的应用场合，反馈控制通常通过一个误差放大器来完成。 带输出电压调整的自激式反激变换器的电路图如图１所示。变压器T1包含两个副边绕组：输出绕组Ｎs1和正反馈绕组Ｎs2。主输出Vo1是隔离的，由误差放大器Ｅ/Ａ严格调整。 反之，辅助绕组Ｖo2是不隔离的，并通过变压器T1由主输出Vo1宽松地调整。包含Rd1和Rd2的电阻分压网络对输出电压Vo1进行侦测，并与跨导式放大器TL431内部的恒定的电压基准比较。元件ＣEA1 , CEA2 , REA1用于电压控制环路的补偿。侦测到的输出电压与基准电压的误差通过TL431放大并通过光耦IC1反馈到原边，即误差电流ie，并在电阻Rs 和Rf产生误差电压Ｖe，误差电压Ｖe与一个与开关电流is1成比例的电压累加后，与ＰＷＭ调制器的固定的门限电压比较，调制器由一个双极型三极管(BJT)Q1来完成，在这种情况下，门限电压即三极管的导通电压Ｖγ。零电流侦测元件CZCD 和RZCD , 和反馈绕组Ns2 ,侦测(有一点延迟)变压器T1的CCM/DCM边界，并传递能量到主开关S1，使开关初始导通。最后，电路的启动是通过电阻Rst从输入电压传递能量到开关管的输入电容Ciss来完成的. 稳态工作 为简化图1所示的变换器在稳态工作下的分析，需作几个近似。第一个近似是忽略变压器T1的漏感。这样就不需考虑初级绕组Np上的电压钳位（保护开关管S1免受振铃电压损坏）。第二个近似是把误差电流ie看作恒流源。并用之取代反馈网络中的误差补偿放大器TL431，光耦IC1，电容CF, 电阻Rd1, Rd2, RA, RB 。最后的近似是忽略主开关管S1的栅极与漏极间的电容CGD, 并把栅源极电容CGS 和漏源极电容CDS分别看作输入电容Ciss 和输出电容Coss . 并假设CO1CO2, RL1RL2. CO1CO2的假设意味着VO2的纹波电压远远大于主输出VO1 的纹波电压。另外一个假设是时间常数RSTCISS远远大于开关周期Ts ，即RSTCISSTs. ?有 t=t0之前，电流iQce 和电压VCZCD 为正，开关管S1中CISS的电荷被晶体管抽取，开关管开始关断，导致电压VDS上升。 t=t0时刻，VDS达到VIN+NVo，整流管D1和D2开始导通。这一阶段如图2(b)所示，励磁电流iM瞬时从开关管S1转化到输出整流管D1和D2。由于输出电容CO1CO2，当电压VO2上升时电压VO1可近似看成恒定不变，这样电流i2相对于电流i1将下降得更快，如图3中(d)和(e)所示。由于这一阶段整流管D2是导通的，电阻RZCD上的电压VRZCD为-(VGS+VS+VCZCD)≈-(VGS+VCZCD) , 电流iZCD通过电阻RZCD使CISS和CZCD放电。同时，晶体管Q1截止，电流ie流过RF, RS, RL2组成的环路。值得注意的是晶体管Q1只有在它的基射极电压VQbe低于它的截止电压Ｖγ时才会关断。由图2(b)知，VQbe=ieRF+iS1RS≈ieRF,因为iS1RS ieRF，晶体管Q1