一种高精度超低功耗基准电压源-微电子学.pdfVIP

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2017-09-03 发布于天津
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一种高精度超低功耗基准电压源-微电子学

第卷第期微电子学 , 47 2 Vol.47 No.2 年月 2017 4 Microelectronics A r.2017 p 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 一种高精度超低功耗基准电压源 , , , , 岳宏卫邓进丽朱智勇段吉海韦雪明 ( , ) 桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林 541004 : 、。摘要提出了一种超低功耗无的基于亚阈值特性的基准电压源采用正负温度系 BJT CMOS , ; 数电流求和的方式来获得与温度无关的电流再转换成基准电压采用共源共栅电流镜来提高电源。 , , 电压抑制比和电压调整率基于 SMIC0.18 mCMOS工艺进行仿真结果表明在-20℃~ μ , -5/ ; , 135℃温度范围内温漂系数为 2.97×10 ℃ 在 0.9~3.3V电源电压范围内电压调整率为 ; , , 。 0.089% 在频率为100Hz时电源电压抑制比为-74dB电路功耗仅有 230nW : ; ; ; ; 关键词亚阈值区高精度高电源电压抑制比超低功耗低温漂中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN432 A 1004-3365201702-0152-04 AHihPrecisionandUltraLowPowerVoltaeReferenceSource g g , , , , YUEHonweiDENGJinliZHUZhion DUANJihaiWEIXuemin g y g g ( , , GuanxiKe Lab.o PrecisionNaviationTechnolo andA lication GuilinUniversit o ElectronicT