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容量测定-东京工业大学

CBCM法を用い、0.001fF分解能、浮遊容量分離型、400個の容量TEGマトリクス?テスト?ストラクチャの提案 * CBCM法を用い、0.001fF分解能、浮遊容量分離型、400個の容量TEGマトリクス?テスト?ストラクチャの提案 2013/1/21 CBCM法を用い、0.001fF分解能、浮遊容量分離型、400個の容量TEGマトリクス?テスト?ストラクチャの提案 * CBCM法を用い、0.001fF分解能、浮遊容量分離型、400個の容量TEGマトリクス?テスト?ストラクチャの提案 東京工業大学大学院理工学研究科 電子物理工学専攻 菅原 光俊、盛 健次、角川 佳弘 、松澤 昭 2013/1/21 2013/1/21 CBCM法を用い、0.001fF分解能、浮遊容量分離型、400個の容量TEGマトリクス?テスト?ストラクチャの提案 目次 1. 容量TEG設計の背景 2. 従来のCBCM法 3. 提案する回路と????? 4. 実測結果 5. その他の?????? 容量TEG設計の背景 今般?下記2種の容量の????????????が必要 配線間櫛形容量(MOM容量)の詳細(DAC,ADCの高精度設計のため) MOS???????の????容量の再評価(新????化のため) ?????状にたくさん容量を作り、少ない???で正しく評価するための工夫が必要 CBCM法採用 100種類以上の容量を測ってみたい 1fF以下の分解能で測りたい 被測定容量自体の浮遊容量を分離して求めたい 非線形容量測定に100mV振幅で測りたい 2013/1/21 CBCM法を用い、0.001fF分解能、浮遊容量分離型、400個の容量TEGマトリクス?テスト?ストラクチャの提案 従来のCBCM法 2013/1/21 CBCM法を用い、0.001fF分解能、浮遊容量分離型、400個の容量TEGマトリクス?テスト?ストラクチャの提案 Charge Based Bapacitance Measurement 基本技術のCBCM法 被測定容量をまず放電 次にVDDまで充電する?VDDからQ=Cx?VDDの電荷が注入される。 これを1秒間にf回繰り返すと、充電電流Iは I=Q/1秒=Cx?VDD?f ∴Cx=I/(VDD?f) 容量無し(No Cap)の  ?????を作り、浮遊容量を相殺する 貫通電流防止。 2013/1/21 CBCM法を用い、0.001fF分解能、浮遊容量分離型、400個の容量TEGマトリクス?テスト?ストラクチャの提案 J.C.Chen,et al: “An On-Chip, Attofarad Interconnect Charge-Based Capacitance Measurement (CBCM) Technique, IEDM 1996 被測定容量 Cx まず放電 次に充電 Break before make ????? CBCM法の利点と欠点 利点 電流波形に依らず?その積分値=総電荷のみ必要 放電後?充電後には電流が流れないので??????接続不要 測定系の浮遊容量は?????できる 1fF程度まで測れる 欠点 端子数が多い ??????構成で?VDDVTが必要。100mVでは測れない 対策 ?????状に並べ、被測定容量のみをCVCM法で測る。 非測定容量には????を加えない 回路工夫で100mVで動作させる 2013/1/21 CBCM法を用い、0.001fF分解能、浮遊容量分離型、400個の容量TEGマトリクス?テスト?ストラクチャの提案 提案する回路と????? 2013/1/21 CBCM法を用い、0.001fF分解能、浮遊容量分離型、400個の容量TEGマトリクス?テスト?ストラクチャの提案 提案するユニット回路 充放電は 上下とも3.3V Nch????。????は3.3V?????? 両端電位VDD =0~2.5Vで?????のon/off可 座標xsel,yselの交点の????のみ?????を???????? 貫通電流を避けるBreak before makeのための?????挿入 容量の他端は 任意?????を掛けるなら、共通のcom端子へ 他端がsubstrateの容量のみsub端子へ。 VDD及びGND,com,sub間は出来るだけ容量を付加 2013/1/21 CBCM法を用い、0.001fF分解能、浮遊容量分離型、400個の容量TEGマトリクス?テスト?ストラクチャの提案 Vc=0.1~2V A ck xsel ysel Vsub=-1~2V sub Vcom=-1~2V com GND (x+1)sel ysel delay delay VDD P1 P2 Cx Vc VDD=3

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