混沌随机数发生器的设计-journalofsemiconductors.pdfVIP

第 26 卷 　第 12 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 12 2005 年 12 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Dec . ,2005 混沌随机数发生器的设计 王云峰 　沈海斌 　严晓浪 (浙江大学超大规模集成电路设计研究所 , 杭州 　3 10027) 摘要 : 为了使由模拟电路实现的混沌随机数发生器可以在标准数字 CMO S 工艺上实现 ,设计了一类基于 MO S 电 容的混沌随机数发生器 ,可以作为一个通用 IP ,用于 SOC 的设计. 当电路工作时 ,用于电容设计的 MO S 管的栅极 与衬底之间形成耗尽层 ,利用串联补偿方法提高 电容的线性度. 所设计的混沌随机数发生器 已经在 TSMC 的 μ 025 m 、标准的数字 n 阱 COM S 工艺进行流片 ,对芯片的测试工作也已完成 ,测试结果显示 ,生成的随机数具有 良 好的随机性能. 关键词 : 随机数发生器 ; 混沌 ; MO S 电容 ; 开关电容 EEACC : 1265B ; 2570 F ; 5230 中图分类号 : TN432 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 字 CMO S 工艺上进行流片. 由于混沌 的“蝴蝶效 1 　引言 应”,环境温度和电源电压的微小变化都会增加随机 数的不确定性. 文中所确定的控制参数留有了一定 随着计算机技术的不断发展 ,许多领域都需要 的裕量 ,细小的工艺偏差不会影响随机数的性能 ,所 用到随机数. 特别是在加密领域 ,需要用不可预测的 实现的系统仍然是混沌系统. 随机数来保证信息的安全. 目前计算能力正在迅速 地被提高 ,所以基于某确定算法 , 由数字电路产生的 2 　MOS 电容的设计 伪随机数已不能满足安全性要求. 因此 ,如何通过硬 件产生真正的不确定性是保证安全性的关键. 一些 2 . 1 　基本 MOS 电容 直接或是间接地从电路中热噪声产生不确定性的方 案[ 1 ,2 ] 陆续被提出. 但电路中热噪声的提取很复杂 , 如图 1 所示 ,当将标准 n 阱 PMO S 管的源极和 因此这些方案的面积或是功耗特性差. 非线性系统 漏极短接 ,则管子的栅极 G 和衬底 B 之间相当于一 的混沌理论为设计随机数发生器提供了新的理论基 个电容 ,可以用作电容的设计. 其 CV 特征曲线如 础和实现方法[3 ,4 ] , 电路的实现性能也优于基于热 图2 所示 ,栅极 G 和衬底 B 之间的电压 V GB 会直接 噪声提取的方案. 为了更好地实现混沌动力系统 ,获 影响容值的变化 ,这是因为随着 V GB 的变化 , MO S 得高性能的随机数 ,这些方案都是由模拟电路来实 管的栅极和衬底之间会形成积累层 、耗尽层 、反型层 现. 模拟电路中电容的设计通常采用平行板电容器 , 三个不同的状态. 为了获得较好的线性电容 ,用作电 即金属氧化层金属电容器 ,需要额外的工艺工序 , 容设计的 MO S 管在 电路工作时 ,应该工作在同一 ( 增加了流片成本 ,也不利于混沌随机数发生器 cha 个状态. 由于本文设计的 CRN G 电路工作的时候