基于磁场传感器的层状磁电复合振子磁阻抗效应-南京大学学报自然.pdfVIP

基于磁场传感器的层状磁电复合振子磁阻抗效应-南京大学学报自然.pdf

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基于磁场传感器的层状磁电复合振子磁阻抗效应-南京大学学报自然

( ) 南京大学学报 自然科学 第 卷 第 期 , 53 1 Vol.53 No.1 JOURNALOFNANJINGUNIVERSITY 年 月 , 2017 1 Jan.2017 ( ) NATURALSCIENCES : / DOI10.13232 .cnki.nu.2017.01.018 j jj 基于磁场传感器的层状磁电复合振子磁阻抗效应 , 1 12* , 何文强 王 巍 ( , , ; , , , ) 1.南京师范大学物理科学与技术学院 南京 2100232.近代声学教育部重点实验室 南京大学 南京 210093 : / 摘 要 运用磁电耦合理论及等效电路法对磁致伸缩 压电三层和五层磁电复合振子的磁阻抗效应进行了理论和 , , 实验研究 理论研究表明 由磁致伸缩导致的压电振子内应力的改变 引起磁电复合振子的磁阻抗效应 实验结果 . . , , 显示 无论是在磁电复合振子的谐振还是反谐振频率 五层磁电复合振子的磁阻抗明显大于三层复合振子的磁阻 , 抗 利用等效电路分析了该实验结果 并运用复合材料磁电耦合的乘积效应解释了磁阻抗产生的原因 测试结果显 . . , , / , 示 在谐振和反谐振频率下 五层串联复合振子的磁阻抗 最大值分别为 和 而三层复合振子的磁 ΔZZ 46.9% 60% 阻抗 / 最大值分别为 和 由实验结果计算得出三层和五层磁电复合振子的磁分辨率分别可达 ΔZZ 13% 30.2%. -10 -1 -11 -1 · 和 · 研究结果为磁电复合振子在磁异常探测传感器中的应用提供了实验及 2.2×10 T Ω 2.5×10 T Ω . μ μ , 理论基础 并有助于优化以层状磁电复合振子为核心的磁场传感器的结构. : ,

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