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第一單元 數位IC特性 數位系統實驗 52 Outline TTL IC特性 CMOS IC特性 數位積體電路(p.1) 數位電路用來執行邏輯運算,可由雙載子或場效應電晶體元件構成。 僅工作在飽和(ON)及截止(OFF)二種狀態 處理信號只有高電位(HI)和低電位(LO)，用來表示數位邏輯的1和0。 目前最常用兩個族群 TTL (Transistor-Transistor Logic) COMS (Complementary metal oxide semiconductor) 電晶體ON及OFF 飽和區(ON) 截止區(OFF) TTL IC的特性(p.2) 基本電路(ex. NOT Gate) TTL IC的特性(cont.) 當輸入為HI,則輸出為LO TTL IC的特性(cont.) 當輸入為LO,則輸出為HI 轉換曲線(p.6) TTL電壓和電流特性(p.5) VIH: 輸入為1時的電壓、VIL: 輸入為0時的電壓 VOH: 輸出1為時的電壓、VOL: 輸出為0時的電壓 IIH: 輸入為1時的電流、IIL: 輸入為0時的電流 IOH: 輸出1為時的電流、IOL: 輸出為0時的電流 雜訊免除性(容忍度)(p.6) 因為VOH=2.4V、VIH=2V，所以有0.4V(400mV)的間隔，所以兩個TTL閘的傳輸線可以承受振幅400mV的雜訊干擾。VIL - VOL也是0.4V。 傳播延遲時間(p.6) 傳播延遲時間(propagation delay time) tPHL:輸出由HI轉換LO的延遲,tPHL=7ns tPLH:輸出由LO轉換HI的延遲,tPLH=11ns 扇出(Fan out)(p.7) 所謂扇出,就是IC的輸出能夠接多少個IC的輸入(並聯) 若IOH=400?A, IIH=40?A, 則扇出數為IOH/IIH=10。 IOL/IIL=16mA/1.6mA=10。 TTL族群(p.8) 標準型TTL、低功率TTL、高速TTL、蕭特基TTL、低功率蕭特基TTL(目前常用) TTL族群(cont.) CMOS IC的特性(類比電路實驗p.507) CMOS互補式金屬氧化半導體 由N通道MOSFET與P通道MOSFET組合而成 MOSFET分兩類 空乏型:汲極D及源極S之間以通道連接 增強型:汲極D及源極S之間沒有通道 目前CMOS IC都是以增強型MOSFET製成 N通道空乏型及增強型MOSFET(p.509) P通道空乏型及增強型MOSFET N通道增強型MOSFET工作原理(p.510) P通道增強型MOSFET工作原理(p.511) 電路符號 CMOS(p.11) CMOS電路係將PMOS與NMOS製作在同一基質上，二者特性可互補，具小的功率消耗與大雜訊界限的優點。 CMOS反相器(p.12) CMOS反相器(cont.) CMOS反相器(cont.) 轉換曲線COMS v.s. TTL CMOS特性 工作電源:3~15V 輸入電壓:VIH0.7VDD, VIL0.3VDD 輸出電壓:VOH?VDD, VOL?0V 雜訊免除力VDD?30% 扇出:50 輸入阻抗: 1012? 消耗功率: 0.5?W CMOS v.s. TTL TTL v.s. CMOS雜訊界限比較 * * B-E順向偏壓且有足夠大的IB B-E沒有偏壓或逆向偏壓 輸入層 驅動層 輸出層 = ON OFF OFF ON OFF ON ON OFF 輸入電壓 輸出電壓 ＜0.4V VOL ＞2.4V VOH ＜0.8V VIL ＞2V VIH ＞16mA ＩOL ＞400?A ＩOH ＞1.6mA ＩIL ＜40?A ＩIH VOH VIH VIH VOL tPHL tPLH 反相器輸入方波 10 2mW 10ns 低功率蕭特基TTL 10 19mW 3ns 蕭特基TTL 7 23mW 6ns 高速TTL 10 1mW 33ns 低功率TTL 10 10mW 10ns 標準型TTL 扇出 每閘消耗功率 平均傳播延遲 N通道MOSFET (NMOS) P通道MOSFET (PMOS) ON OFF 等效圖 等效圖 OFF ON 在線性區,CMOS的轉換曲線比TTL陡峭 *