SiC%2fSiC复合材料制备及性能的分析研究.pdfVIP

捅费 捅要 siasiC复合材料是一种新型超高温材料，在航空航天领域有具有广阔的应 用前景，很有希望成为一种性能优异的结构吸波材料。化学气相渗透法(CvD是 制备纤维增韧陶瓷基复合材料的最基本和实用的方法。本文以减压化学气相渗透 法(IJPC、，I)制备了具有热解碳界面的siC／siC复合材料，分析了制备热解碳界面 和SiC基体IJPCvI过程的热力学和动力学以及沉积参数对沉积过程的影响，研 究了复合材料组分对其力学性能和介电性能的影响规律。主要研究内容如下： (1)分析了IJPcvI沉积热解碳界面和siC基体的热力学和动力学条件，对丙 烯及M，rS．H2系统的热解过程进行分析，并以纤维束为基体，研究了沉积温度、 系统压力、PN卯a嘶对热解碳沉积形貌和速率的影响。结果表明：沉积温度、系 统压力和PN胛c娜均会使热解碳沉积形貌发生变化。沉积温度对热解碳形貌影 响不大；系统压力通过改变滞留时间的长短和形核与长大模式而改变沉积速率和 热解碳的形貌与结构；随PN2／Po晰降低，热解碳沉积模式有从表面化学反应成 核．生长向气相成核一生长模式转化的趋势，沉积热解碳层随之变得粗糙。 (2)在优选沉积工艺下对SiC／siC复合材料的致密化进行研究，表明在本实 验条件下，siC基体沉积时间在6．5小时之后复合材料气孔率为20％左右，继续 延长时间对材料气孔率影响不大。同样沉积条件下，纤维体积含量40％的复合材 料与含量为30％的复合材料相比，气孔率略大。 (3)实验制备sic俗iC复合材料弯曲强度达328MPa，且表现出一定的韧性。 由于本实验用SiC纤维性能较差，与文献报道中的最好力学性能相比还有一定的 差距，但比国内同种纤维制备复合材料力学性能有所提高。并研究了气孔率、纤 维体积含量、界面厚度、界面形貌对复合材料力学行为的影响。 (4)首次研究热解碳界面与基体沉积用稀释气对sic幅iC复合材料微波介电 性能的影响。热解碳界面的添加可以有效提高复合材料复介电常数的实部和虚 部，并且相比纤维含量30％的复合材料，纤维含量为40％的复合材料介电常数 的提高更加显著；用加代替H2作稀释气，可以造成sic—c的共沉积，从而有 效提高复合材料复介电常数的实部、虚部、损耗角正切。复合材料的各向异性是 其复介电常数曲线有较大波动的主要原因。 关键词：siC／siC复合材料，LPcvl法，结构吸波材料，微波介电性能 两北T业九掌蛳_}论文 Abstract carbide isal【ind0f加Vd Siliconcarbide劢er．rcinfor硎silicon compositc matcrials tobcuscdat in expccced hi曲tcmpcfalmes．nh弱、Ⅳidelyapplicd to kind stnldural is bea of aero—engiIIe锄d捌nspacc柚dpmmising outst孤ding ab∞rbentmaterials．ch锄ical isab勰ic柚dllsefIllmethod vapordeposm∞(CVD for ceramicmatrix wim fabricating composite．hnlis血esis，SiC幅iC00mpositc low chemicalinfiltratiOn interpha∞w弱f曲ricatedp