高功函数的钛酸镧掺杂氧化铟透明导电薄膜的制备与光电-发光学报.PDFVIP

第33卷摇 第10期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾33 No郾10 2012年10月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Oct. ,2012 文章编号:1000鄄7032(2012)10鄄1055鄄05 高功函数的钛酸镧掺杂氧化铟透明导电薄膜的 制备与光电特性研究 1.2 1 1 1 3 4 * 田苗苗 ,李春杰 ,贺小光 ,郭摇 峰 ,范摇 翊 ,王摇 宁 (1. 长春师范学院物理学院,吉林 长春摇 130032; 2. 中国科学院长春应用化学研究所 高分子物理与化学国家重点实验室,吉林 长春摇 130022; 3. 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春摇 130033; 4. 中国科学院长春应用化学研究所 高分子复合材料工程实验室,吉林 长春摇 130022) 摘要:制备了一种新型的具有高功函数的掺钛酸镧(LaTiO )的氧化铟(ILTO)三元透明导电氧化物薄膜,并 3 研究了其光电特性。 EDX能谱测试结果证实了样品中In、La及Ti 的存在,薄膜的掺杂具有良好的均匀性及 一致性。 由原子力显微镜测试可知,在一个5 滋m伊5 滋m 的扫描区域内,样品的表面粗糙度(RMS)较小,为 1nm量级。 ILTO薄膜在可见光区域的平均透过率超过了85%,其功函数接近于金的功函数(5.2 eV左右), 远高于目前商业化的ITO的功函数(4.5~4.7 eV)。 由于导电薄膜的功函数在光电器件中对异质结界面的势 垒高度有着直接影响,较高的功函数可以提高载流子的注入及抽取能力,因此采用ILTO作为光电器件的阳 极将有望改善器件的性能。 关摇 键摇 词:功函数;掺杂;透明导电薄膜;光致发光 + 中图分类号:TN383 .1摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx1055 Preparation and Characteristics of High Work鄄function and Ultraviolet鄄luminescence Lanthanum Titanate鄄doped Indium Oxide Thin Films 1,2 1 1 TIAN Miao鄄miao ,LI Chun鄄jie ,HE Xiao鄄guang , 1 3 4 * GUO Feng ,FAN Yi ,WANG Ning (1. College of Physics,Changchun Normal University,Changchun 130022,China; 2. StateKey Laboratory of Polymer Physics and Chemistry,Changchun Institute of Applied C