g-c3n4bi2s3复合材料的离子热法制备与表征 preparation and characterization of g-c3n4bi2s3 composites by an ionothermal method.pdfVIP

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2017-09-03 发布于上海
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g-c3n4bi2s3复合材料的离子热法制备与表征 preparation and characterization of g-c3n4bi2s3 composites by an ionothermal method

第30卷第2期南昌航空大学学报：自然科学版 V01．30．No．3 of 2016年9月 Journal Sciences NanehangHangkongUniversity：Natural Sep．，2016 g·C3N4／Bi2S3复合材料的离子热法制备与表征李维国，薛萍，黄旭阳，张建军，邹世斌 (南昌航空大学材料科学与工程学院，南昌330063) [摘要]以离子液体为反应介质，Bi(N0，)，为铋源，硫脲为硫源，g．c，N。为载体，采用离子热法在不同反应温度下合成了g．见光谱结果表明，所制备的g—c，N4／Bi：S，复合材料在整个可见光范围有较强的吸收，尤其是当反应温度超过160℃所制备的样品在整个可见光范围光吸收值超过0．5；荧光光谱结果表明，随着反应温度的升高，所制备的复合材料荧光强度出现明显的衰减现象；同时对所制备的样品进行了热导率测试，结果显示，反应温度越高复合材料的热导率越大。 [关键词]g—c3N4／Bi2S3；复合材料；离子热法；表征 [中图分类号]TB331 [文献标志码】A doi：10．3969／j．issn．1001-4926．2016．03．009 [文章编号]1001—4926(2016)03—0044—05 and Characterizationof Preparation g-C3 S3Composites N4／Bi2 anIonothermalMethod by LIWei—guo，XUE Ping，HUANGXu—yang，ZHANGJian-jun，ZOUShi—bing (School Scienceand ofMaterial Engineering，NanchangltongkongUniversity，Nanchang330063，China) were anionothermalmethodunderdefferentreaction Abstract：Bismuth synthesized sulphide(Bi2S3)／g-C3N4composites by bismuth asa ascarrierinall SOurCe，thiourea ionic reaction temperatureusingBi(N03)3鹪the sulphursource，andg-C3N4 liquids medium．The werecharacterized andPL results preparedsamples byXRD，SEM，UV·vis spectrum spectrum respectively．XRD indicatedthatthe were and