硅纳米线表面掺杂现象的的分析研究及应用.pdfVIP

硅纳米线表面掺杂现象的研究及应用 中文摘要 中文摘要 表面掺杂是一种调控纳米材料掺杂性质的方法，它主要依赖于界面电荷的分 离。材料表面，特别是比表面积大的纳米材料表面都存在悬空键、缺陷等，使得 一些分子很容易吸附在其表面，引起材料表面结构发生重组，材料与表面吸附剂 之间发生电荷转移，系统的总能量发生改变，从而导致半导体的性质发生改变。 通过选择表面吸附剂的种类，能够灵活的改变材料的掺杂类型。这种方法较传统 方法相比成本降低，方法简便，更加适用于纳米器件的制备。硅纳米线作为一种 重要的硅基纳米材料，具有较大的比表面积，可以观察到表面掺杂现象，这在前 人的文献中也有报道。但是将这种现象运用到实际操作中，扩大硅纳米线的应用 领域和范围仍然是一个难题。本文对此现象做了深入研究，发现并解释了氢端终 止的硅纳米线能够加速铜氧化；通过表面掺杂在硅纳米线薄膜上修饰了带有氧化 银壳层的银颗粒和氧化亚铜，分别用作表面增强拉曼的基底和光催化剂。其具体 内容为： (1) 在黑暗条件下，氢端终止的硅纳米线能够使铜的氧化速率增加。通过 X- 射线粉末衍射法对产物进行分析，对比没有加入硅纳米线的