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第4章 根轨迹法 4.1 根轨迹的基本概念 4.1.2 根轨迹方程 既然根轨迹是闭环特征根随参数变化的轨迹，则描述其变化关系的闭环特征方程就是根轨迹方程。 相角条件： 幅值条件： 4.2 绘制根轨迹的规则和方法 表4.1列出了概略绘制根轨迹的基本规则（假定系统的开环传递函数由式(4.1)确定）。 （2）较为准确地绘制根轨迹图的规则(6-9规则) 3）分离点坐标d是下列方程的解： [例3] 已知系统开环传递函数 试求系统闭环根轨迹分离点坐标。 ②方法2 根据式(4.14)，求出闭环系统特征方程。 由上式可得 ③方法3 根据式(4.15)有 d1在根轨迹上，即为所求的分离点，d2不在根轨迹上，则舍弃。此系统根轨迹如图4.4。 续表 4.2.2 补根轨迹的绘制 在复杂的控制系统中，有时由于对象本身的特性或为了满足系统性能的要求，可能含有正反馈回路；亦可能在开环传递函数的分子或分母中，出现S的最高次幂系数为负的情况。通常把这类系统的根轨迹叫做补根轨迹。 式4.16是绘制补根轨迹的依据。 4.3 控制系统根轨迹的性能分析 4.3.1 增加开环极点对控制系统的影响 大量实例表明：增加位于S左半平面的开环极点，将使根轨迹向右半平面移动，系统的稳定性能降低。 由图可见：增加开环极点，使根轨迹的复数部分向右半平面弯曲。 一般来说，增加的开环极点越靠近虚轴，其影响越大，使根轨迹向右半平面弯曲就越严重，因而系统稳定性能的降低便越明显。 4.3.2 增加开环零点对控制系统的影 响 一般来说，开环传递函数G(s)H(s)增加零点，相当于引入微分作用，使根轨迹向左半S平面移动，将提高系统的稳定性。 4.3.3 利用根轨迹确定系统参数 [例6] 设开环传递函数为： 它的根轨迹如图4.11所示，要求闭环极点位于使系统具有ξ=0.5的阻尼比的位置，那么增益K*应是多大？ 解 在图4.11中画出ξ=0.5的射线，与根轨迹相交得闭环极点的要求位置s0。再画出Gk(s)的极点到s0的三个向量—— 得 由向量幅值 换句话说，如果取K*的值为65，则1+Gk (s)的一个根将位于s0，另一个根当然是和s0共轭的。第3个根在何处呢？由根轨迹知道，第3条根轨迹在负实轴上，在一般情况下，可以取一试探点，计算相应的K*值，然后修正试探点直到找出和K*=65相应的点为止。 图4.11 根轨迹增益的确定 具有式(4.19)开环传递函数的系统，因为有一个积分环节，因此是I型系统，在跟踪斜坡输入时的稳态误差取决于速度增益Kv，本例中 可得根轨迹起始角的一般表达式为 同理，根轨迹终止角的一般表达式为 表4.2 给出了一些典型的图形。图中用“×”、“0”代表开环系统的极点和零点。 按7个基本规则绘制根轨迹图 首先，系统有三个无穷远零点，有三个开环极点：p1=0,p2=-1,p3=-2，将它们标在复平面上（见图4-5），开环极点的位置用×表示（开环零点的位置一般用小圆圈表示）。根据规则1）和2），根轨迹将有3支，分别开始于这三个开环极点，趋向无穷远。 绘图示例 根据规则3），根轨迹有3根渐近线，它们与实轴的夹角是： 所有渐近线交于实轴上的一点，其坐标为： 根据规则4），实轴上的[-1,0]段是根轨迹的一部分，实轴上的(-∞,-2]段也是根轨迹的一部分，实际上后者就是从开环极点p3出发趋向无穷远的一支，与渐近线的分析一致，这一支已经是精确图形了。 根据规则5）可以确定根轨迹与虚轴的交点，我们先用劳斯判据， 根据特征方程系数列出劳斯阵列为： 使第一列中 项等于零，可以求得K=6。通过求解由 行得出的辅助方程 可以求得根轨迹与虚轴的交点为 ，虚轴上交点处的频率为 。 另外一种确定根轨迹与虚轴交点的方法是令特征方程中的s=jω得： 令上式中的实部和虚部分别等于零，可以得到ω=0,K=0或 。因此，根轨迹在 处与虚轴相交，并且交点处ω=0。实轴上的根轨迹K=6处也与虚轴相交 图4-5 绘制根轨迹图示例 根轨迹从p1,p2,p3出发的出射角已经很明确，为了验证规则（7），我们还是计算一下： 与实际完全一致。 以上根据基本规则画出的根轨迹仍然是概略图，它在实轴上的根轨迹、渐近线、与虚轴的交点是准确的，其它部分就不准确了。要做到根轨迹图准确，按传统方法要用试验点的办法进行细化，很繁琐也不可能有高的精度；按现代方法用Matlab可以快而准地绘出高精度根轨迹图。