5.1晶体中电子在电场和磁场中及运动.pptVIP

晶体中电子在电场的运动;1 准经典运动;把波包中心 r0 称为该粒子的位置, 把中心 ? k0 称为该粒子的动量;则 k 必须很小, 将 E(k’) 展开到线性项;为了分析波包运动只需分析 |Ψ|2, 完成积分得;波函数主要集中在限度为 1/Δ 范围内, 中心 u=v=w=0 　　;在能带顶和能带底, E(k) 为极值, 斜率 dE/dk=0, 所以在带底和带顶电子速度为零, 而在能带中 d2E/dk2=0 处,速度的数值最大;二、在外力作用下状态的变化和准动量;从而得出结论在平行于 vk 的方向上 ?dk/dt 与 F 的分量是相等的。可证明在垂直速度的方向也相等, 因此;三、加速度和有效质量;用矩阵表示　　;在这种情况下, 引入;以简单立方晶体, 紧束缚近似下的 s 能带为例, 讨论有效质量的特点;再如在 k=(±π/a, ±π/a, ±π/a) 点即能带顶, 有;总之, 有效质量并不是一个常数, 而是 k 的函数。一般情况是一个张量, 特殊情况可能约化为标量;2 恒定电场???用下电子的运动;;在恒定电场作用下的运动, 设电场力 F=-qE 沿轴的正方向, 根据;电子在 k 空间的循环运动, 表现在电子速度上是 v 随时间做振荡的变化;电子速度的振荡意味着电子在实空间 (x空间) 的振荡;设 t=0 时电子处在较低的能带底的 A 点, 电子从 A 经过 B 到达 C, 对应于电子从 k=0 到 k=π /a 的运动;强调指出两点：; 导体、绝缘体和半导体的能带论解释;一、满带电子不导电;在一个完全为电子充满的能带中, 尽管就每一个电子来讲, 都荷带一定的电流 –qv, 但是 k 和–k 状态的电流正好相抵消, 总的电流为０;所有电子所处的状态都按;二、导体和非导体的模型;在外场所施力 F 作用下, 整个电子分布将向一方移动,破坏了原来的对称分布, 而有一个小的偏移;导体和非导体的基本能带模型;半导体和绝缘体都属于上述非导体的类型;在金属和半导体之间存在一种中间情况：导带底和价带顶或发生交叠或具有相同的能量（有时称为具有负带隙宽度或零带隙宽度）; 但是由于能带之间的交叠使它们具有了金属的导电性, 只是由于能带交叠比较小, 对导电有贡献的载流子数远小于普通的金属;三、近满带和空穴;假设满带上只有一个状态 k 没有电子, I(k) 表示在这种情况下整个近满带的总电流;实际上遇到的空状态 k 往往是在满带顶附近的, 有效质量 m* 为负值, 所以上式又可写成;因此得到如下结论:;对于半金属, 能带交叠的结果, 上面能带有电子, 下面能带有相同数目的空穴, 电子和空穴统称为载流子