NAND FLASH 控制器的FPGA实现.pdf

NAND FLASH 控制器的FPGA 实现 1 2 桑坚 ，刘洪瑞 1 哈尔滨工业大学深圳研究生院，深圳(518000 ) 2 大庆油田有限责任公司，大庆(163000) E-mail：sangjian5266@163.com 摘 要： NAND FALSH 结构特点，提高了存储密度，降低了每比特的成本，与NOR FLASH 相比写入速度大大提高。但是NAND FLASH 采用复用的数据线和地址线，必须先通过寄存 器串行地进行数据的存取，加上各个产品对信号的定义不同，因此与NOR FLASH 相比增加 了应用难度。本文设计的NAND FLASH 控制器，可以更容易的利用NAND FLASH 。目前 该控制器已经通过功能仿真，并在Xilinx 公司的Sparten Ⅲ系列FPGA 上得以验证。顺利实 现了对三星公司生产的K9F1208U0B NAND FLASH 的扫描、擦除、读写、读ID 等功能。 关键词：FPGA；NAND FLASH ；FLASH 控制器 中图分类号：TP273.5；TN4 1. 引 言 FLASH 分为两种：NOR FLASH 与NAND FLASH 。在相同工艺和容量下，NAND FLASH 节约一半的芯片面积和生产成本，适合生产存储容量大的芯片。如果闪存只用来存储代码， NOR FLASH 比较适合一些。而NAND FLASH 则是高数据存储密度的理想解决方案。在性 能上，NAND 型闪存写入速度要比NOR 型快的多，相差进千倍。NAND FLASH 的I/O 采 用数据和地址线的复用，增加了应用难度。故而NAND FLASH 应用的困难在于FLASH 的 管理和需要特殊的系统接口。 本文中的NAND FLASH 控制器使用Verilog HDL 语言进行设计，采用自顶向下的设计 方法。顶层为总的控制模块，向下按NAND FLASH 的读写、写、擦除等基本模块来实现。 在本设计的验证过程中，采用Xilinx 公司(Spartern3) [1]系列FPGA 和三星（Samsung ）半导 体公司出品的序列号为K9F1208U0B 的512Mb 的NAND FLASH 。 2. NAND FLASH 的控制信号及命令集 2.1 NAND FLASH 的控制信号 设计中采用的K9F1208U0B NAND FLASH 芯片以TSOP1 48pin 封装形式。包括分时复 用输入输出I/O 口、命令锁存、地址锁存、片选、读使能、写保护、设备状态、电源、接地。 详细说明[2]见表2-1 ： - 1 - 表2-1 控制信号表 Table 2-1 Signal Description 符号 定义 类型 功能描述 I/O0- 输入 该端口用于输入命令、地址、数据以及在读操作的时候输出数据。 数据输出输入 I/O7 输出 当CE 信号置高或输出没有使能时输出为高阻。 命令锁存使能 该端口控制着把命令输入到命令寄存器的活动路径。当为高时，命 CLE 输入 高电平有效 令在WE 信号上升沿通过I/O 端口输入。 地址锁存使能 该端口控制着把地址输入到地址寄存器的活动