哈尔滨理工大学微电子封装考试复习题.docVIP

微电子封装定义及封装的作用？ 为基本的电子电路处理和存储信息建立互连和合适的操作环境的科学和技术，是一个涉及多学科并且超越学科的制造和研究领域。 作用---为芯片及部件提供保护、能源、冷却、与外部环境的电气连接+机械连接 什么是电迁移？ 电迁移是指在高电流密度（105－106A/cm2）下金属中的质量迁移的现象。 什么是芯片尺寸封装？ 芯片尺寸封装（CSP）是指封装外壳尺寸比芯片本身尺寸仅大一点（最大为芯片尺寸的1.2倍）的一类新型封装技术。 5、可作为倒装芯片凸点的材料有哪些？高可靠性的焊凸点应该在那个工艺阶段制作？凸点的典型制作方法有哪些？其中什么方法也常用于BGA器件焊球的植球？ 凸点材料：a) 钎料：单一钎料连接：高Pb (3Sn97Pb、5Sn95Pb )－陶瓷芯片载体；低Pb (60Sn40Pb )－有机芯片载体 双钎料连接：高熔点凸点用低熔点钎料连接到芯片载体C4-Controled Collapse Chip Connection) b) 金属：Au、Cu c) 导电环氧树脂:低成本、低可靠性 高可靠性的焊凸点制作，是在IC还处于圆片阶段时制作焊凸点。 蒸发沉积法；模板印刷法；电镀法；钉头凸点法；钎料传送法；微球法；钎料液滴喷射（印刷）法 微球法 6、扩散焊在什么情况下会采用中间层？中间层材料应具有哪些性能？ 结晶化学性能差别较大的两种材料连接时，极易在接触界面生成脆性金属间化合物。 措施：选择中间层，使中间层金属与两侧材料都能较好的结合，生成固溶体，则实现良好的连接。 两种材料的热膨胀系数差别大，在接头区域极易产生很大的内应力。 措施：用软的中间层（甚至几个中间层）过渡,缓和接头的内应力 扩散连接时，中间层材料非常主要，除了能够无限互溶的材料以外，异种材料、陶瓷、金属间化合物等材料多采用中间夹层的扩散连接。 中间层可采用多种方式添加，如薄金属垫片、非晶态箔片、粉末（对难以制成薄片的脆性材料）和表面镀膜（如蒸镀、PVD、电镀、离子镀、化学镀、喷镀、离子注入等）。 中间层选择原则 1）容易塑性变形，熔点比母材低。 2）物理化学性能与母材的差异比被连接材 料之间的差异小。 3）不与母材产生不良的冶金反应，如不产 生脆性相或不希望出现的共晶相。 4）不引起接头的电化学腐蚀。 7、影响扩散焊接头质量的参数有哪些？如何影响？怎样确定这些焊接参数？ 影响因素-工艺参数： 适当压力：压力增大，塑性变形增大，接触面增加，扩散焊工件一般无宏观塑性变形 2）时间较长：由扩散速度决定，一般为几十到几百分钟 3）温度：温度升高有利于连接材料间进行原子扩散和材料软化变形，一般0.6 至0.8倍熔点[K] 影响因素－表面氧化膜 1）完全分解型：Ti、Ti合金、无氧铜在连接的初期阶段，界面 氧化物分解并扩散到母材中，对连接过程和质量无影响； 2）完全不分解型：Al氧化物非常稳定，扩散连接条件下不能分解消失，依靠塑性变形露出清洁面，得到局部连接； 3）部分分解型：Cu、Fe 氧化膜在界面和空隙中聚集并以夹杂物的形态残存下来---氧化膜部分分解及氧向母材中扩散使夹杂减少 4）Au 影响因素－表面粗糙度 1）不仅影响结合面的接触，也影响扩散过程 表面凹凸越微细而且规则，空隙的消失越迅速，此时扩散机制起重要作用(而不是空隙总体积小的原因)； 3）当表面凹凸的宽度大时(粗糙度较大时)， 扩散的作用被减弱. 8、热压焊与扩散焊的区别？ a）大塑性变形 VS 无宏观塑性变形： b) 蠕变不起作用 VS 蠕变起作用； c) 加热温度较低，时间短，扩散不充分 VS 0.6-0.8Tm，时间长，扩散充分； d) 扩散+变形+机械嵌合+位错机制 VS 扩散+变形+再结晶机制 9、控制母材过度溶解（除镀层选择之外的）的措施有哪些？ A：改善钎料合金成分；B：钎料中加入母材元素—降低浓度梯度； C:温度控制； D：加入惰性元素；（一定直径的金属丝全部溶解所需要时间） 10、锡基钎料与铜焊盘钎焊时产生的界面结合层是？钎焊温度过高或钎焊时间过长还会产生的结合层是？如果采用Au/Ni/Cu焊盘时接合层是？原因是？ Cu3Sn Cu6Sn5 先Cu6Sn5后来温度升高变成Cu3Sn Ni3Sn4 金镀层比较薄，在焊接过程中进入到钎料中 11、“立碑”现象的产生原理？什么情况下易发生？ 墓碑现象：再流焊中片式元件经常出现立起的现象，称之为立碑，又称之为吊桥。 产生原理： 元件两端出现非同步润湿。先润湿的一端在焊料界面张力的作用下克服元件自身重力而将元件牵引抬起。 元件两端焊接面的物理状态出现差异，如受热不均或两端锡膏不均等导致一端的锡膏先熔化、元件两端焊盘的可焊性差异等------非同步润湿 无铅钎料更易立碑----因为其有更高的界面张力；氮气保