薄厚膜集成电路02_1.pptVIP

第二章 混合微电路的数学基础、电路设计和布图规则 混合微电路数学基础 许多现代电路元器件以数学模型为基础，没有基本的数学理论知识，电路设计工程师、材料科学家、参与制作过程的技术人员是难以完成工作的。 在典型的厚膜工艺过程中，首先丝网印刷导体浆料，作为内部连接、电阻的端头连接、焊接用焊盘、管芯黏结焊盘和电容的底层电板。在烘干后，导体层在 烧成，烧掉粘合剂和烧结导体材料。随后的丝网印刷和烧结形成电阻、电容和跨接线。导电和非导电浆料的间次逐层印刷可形成多层连接结构。导体、电阻和电容通过这种工艺形成；分立元器件通过锡焊和胶粘等方式装配到系统中。 薄膜电路元器件是在真空室内，顺序地把电阻、介质和导体材料从源蒸发或溅射到作为靶的基片上形成的。精细的线条结构可通过加法或减法工艺在基片上生成。在加法工艺中，通过放置在基片上或接近基片的掩模沉积到基片上；在减法工艺中，使用光刻技术 形成膜图形。 电阻系数 膜电阻材料配方的选择是必须重视的问题。好的电阻材料可以提供宽范围的电阻值。电阻的总体特性取决于材料体电阻率、电阻的尺寸形状和电阻端头材料的相互作用这些参数。 什么是方块电阻及方数？ 一个均匀导体的电阻R正比于导体的长度L,反比于导体的截面积S.如果此导体是宽为w,厚度为d的薄层,则： 可见，薄层电阻与（L/w）成正比，比例系数为（ ），这个比例系数就叫做方块电阻，用 表示， （L/w）称为方数。即： 的单位为欧姆，用符号 表示。当L=w时，有 ，这时 表示一个正方形的薄层电阻，它与正方形边长的大小无关，故称为方块电阻。 在薄厚电阻中，总的膜电阻率 可用三个不同的电 阻率的和表示： 其中： 是由晶格中原子热振荡造成电子散射的电阻率； 是杂质和其他晶格缺陷造成的电子散射的电阻率； 是膜边界对电子散射的电阻率。 是与温度相关的，近似与绝对温度成正比，在0k 时为零。 及 和温度不相关，然而 在 杂质和晶格缺陷移出或消灭时（当沉积膜退火时发生） 是与温度相关的。 当膜的厚度接近电子平均自 由程长度时，与膜的厚度有关。 例1：室温下，方数为10，阻值为100 ，厚度为1cm的电阻的热散射电阻率为多少？（ =3 , = 5 ） 解： 电阻的温度系数 膜电阻的阻值依赖于温度，这是载流子与晶格振动相互作用的结果。对于一个膜电阻，电阻率与温度的关系可表示为： 其中，T是绝对温度；A是材料常数； 是激活能；k是波尔兹曼常数。 电阻的温度系数（TCR）定义为电阻器（或电阻材料）的电阻随温度的变化量： TCR通常表示为每摄氏度变化百万分之多（ ） 可写为： 在通常情况下，混合电路的温度循环在 的 范围，电阻的TCR可表示为： 在混合电路中，人们观察到，在材料方阻 低于3.5 时，表现为正温度系数特性； 当方阻高于3.5 时，表现为负温度系数 特性。 电阻的电压系数 电阻的电压系数（VCR）定义为单位电压引起的电阻阻值的变化。 式中， 是施加的电压； 是每一电压下的电阻值。 电压系数通常在满负荷额定电压和十分之一电压时测量，若满负荷额 定电压是 ，则 端头效应 实际工艺中，电阻的电阻率还受到导体/电阻搭接处（端头）的接触电阻的影响。 solymor提出端头效应的理论模型：假设膜电阻的面电阻率是 ，端头导体的面电阻率是 膜电阻器的总电阻由三个部分构成：电阻器的主体、端头材料和电阻材料的并联组合、导体和电阻界面的接触电阻。 (1)电阻器的主体： (2)端头材料和电阻材料的并联组合： (3)导体和电阻的界面的接触电阻： 电阻率的结构依赖性 由两