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三、输入端负载特性 R4 R2 R1 ４k ? T2 R5 R3 T4 T1 T5 b1 c1 A 1.6k ? 130? 1k ? D2 (vI) +5V Y vCC RP vI 随 RP 变化的规律： RPR1 时 vi VTH 时，T2不导通，输出高电平。 （vI 与 RP 几乎成正比） 当 vI 上升到1.4V以后，T2和T５导通，VB1钳在了 2.1V左右，即使 RP 再增大，vI 也不会再升高了，特性曲线趋近于 vI =1.4V 的一条水平线。 TTL反相器输入端负载特性 TTL反相器输入端经电阻接地时的等效电路 1、悬空的输入端相当于接高电平。 2、为了防止干扰，可将悬空的输入端接高电平。 TTL反相器的输入特性 由左图可见 接VOL 故得到 一、传输延迟时间(输出电压波形滞后于输入电压波形的时间) t vi o t vo o 1.5V 1.5V tPHL tPLH 平均传输时间: 3.5.4 TTL反相器的动态特性 二. 交流噪声容限 （图3.5.22 TTL反相器的交流噪声容限） （a）正脉冲噪声容限 （b）负脉冲噪声容限 输入脉冲幅度 输入脉冲宽度 ——输出高电压降至 2.0V 时输入正脉冲的幅度 ——输出低电压上升至 0.8V 时输入负脉冲的幅度 v0 R4 R2 R1 4k ? T2 R3 T4 T1 T5 VIH=3.4V D2 Vcc= +5V 1.6k ? (a) vO＝VOL 的情况 三. 电源的动态尖峰电流 ICCL iB1 iC2 2.1V 0.8V 假定 VON(T5) =0.7V VCE(sat)T2=0.1V 则 vC2=0.8V 于是得到 （b） vO＝VOH的情况 v0 R4 R2 R1 4k ? T2 R3 T4 T1 T5 VIL=0.2V D2 Vcc= +5V ICCH iB1 0.9V 图3.5.26 TTL反相器的电源动态尖峰电流 VO t v0 R4 R2 R1 4k? T2 R3 T4 T1 T5 VIL=0.2V 130 ? D2 Vcc= +5V 1.6k? TTL反相器电源尖峰电流的计算 iB4 iB1 iC4 电源尖峰电流带来的影响：使电源的平均电流增加了；它将通过电源线和地线以及电源的内阻形成一个系统内部的噪声源。 如果 v0 从低电平跳变成高电平的瞬间 T5 尚未脱离饱和导通状态而 T4 已饱和导通，则电源电流的最大瞬时值为： * §3.5 TTL 门电路 §3.5.1 双极性三极管的开关特性 1.双极型三极管的结构 一. 双极型三极管的开关特性 在工作时，有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称这类三极管为双极型三极管。 2. 双极型三极管的输入特性和输出特性 （1）输入特性 以 b 和 e 之间的发射结作为输入回路，可得到表示输入电压 vBE 和输入电流 iB 之间关系的输入特性曲线。 输入特性曲线近似于指数曲线，一般采用图中虚线所示的折线来近似。 VON 称为开启电压 VON = 0.5 ~ 0.7V( 硅管) VON = 0.2 ~ 0.3V( 锗管) （2）输出特性 以 c 和 e 之间的回路作为输出回路，可得到在不同iB 值下表示集电极电流 iC 和集电极电压 vCE 之间关系的输出特性曲线。( iC 不仅受 vCE 的影响，还受输入 iB 的控制) 放大区（线性区）特点： iC 随 iB 成正比地变化，几乎不受 vCE 影响 电流放大系数 饱和区特点： iC 不再随 iB 以β 倍的比例增加而趋于饱和 深度饱和状态下，饱和压降 VCE(sat) 在 0.3V 以下 截止区特点： iB =0，iC 几乎等于0 仅有微小的反向穿透电流 ICEO 流过。硅三极管通常 ICEO 在1μA以下 3. 三极管的基本开关电路 Vcc RC RB vo - + vI - + iB iC 由输入特性可知： iB = 0，三级管截止 由输出特性可得： 所以 vO = vOH VCC iB = 0 时 iC 0 (1) 当 vI VON 时， iB 0 开关电路处于截止状态 Vcc RC RB vo - + vI - + iB iC (2) 当vI VON 时，有 iB 产 生，三极管进入放大区 由三极管的放大系数 β， 可得 注：电压放大倍数 负载线 (3) 当vI 继续升高时， RC 上的压降也随之增大。 当RC 上的压降接近 VCC 时， 三极管处于深度饱和状态 开关电路处于导