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第1章 反激变换器设计笔记 开关电源的设计是一份非常耗时费力的
第1章 反激变换器设计笔记
开关电源的设计是一份非常耗时费力的苦差事,需要不断地修正多个设计变量,直到性能达到设计目标为止。本文step-by-step 介绍反激变换器的设计步骤,并以一个6.5W 隔离双路输出的反激变换器设计为例,主控芯片采用NCP1015。
图 1 基于NCP1015 的反激变换器
1.1 概述
基本的反激变换器原理图如图 1 所示,在需要对输入输出进行电气隔离的低功率(1W~60W)开关电源应用场合,反激变换器(Flyback Converter)是最常用的一种拓扑结构(Topology)。简单、可靠、低成本、易于实现是反激变换器突出的优点。
1.2 设计步骤
图 2 反激变换器设计步骤
接下来,参考图 2 所示的设计步骤,一步一步设计反激变换器。
1. Step1:初始化系统参数
------输入电压范围:Vinmin_AC 及Vinmax_AC
------电网频率:fline(国内为50Hz)
------输出功率:(等于各路输出功率之和)
(1)
------初步估计变换器效率:η(低压输出时,η取0.7~0.75,高压输出时,η取0.8~0.85)
根据预估效率,估算输入功率:
(2)
对多路输出,定义KL(n)为第n 路输出功率与输出总功率的比值:
(3)
单路输出时,KL(n)=1.
(范例)Step1:初始化系统参数
------输入电压范围:90~265VAC
------电网频率:fline=50Hz
------输出:
(主路)Vout1=5V,Iout1=1A;
(辅路)Vout2=15V,Iout2=0.1A
则:
------预估变换器的效率:η=0.8
则:
KL1=0.769, KL2=0.231 2. Step2:确定输入电容Cbulk
Cbulk 的取值与输入功率有关,通常,对于宽输入电压(85~265VAC),取2~3μF/W;
对窄范围输入电压(176~265VAC),取1μF/W 即可,电容充电占空比Dch 一般取0.2 即可。
图 3 Cbulk 电容充放电
一般在整流后的最小电压Vinmin_DC 处设计反激变换器,可由Cbulk 计算Vinmin_DC:
(4)
(范例)Step2:确定输入电容
------宽压输入,取2~3μF/W:Cbulk 取20μF 即可,实际设计中可采用15μF+4.7μF 的两个400V 高压电解电容并联。则:Cbulk=19.7μF。
------计算整流后最小直流电压:
3. Step3:确定最大占空比Dmax
反激变换器有两种运行模式:电感电流连续模式(CCM)和电感电流断续模式(DCM)。两种模式各有优缺点,相对而言,DCM 模式具有更好的开关特性,次级整流二极管零电流关断,因此不存在CCM 模式的二极管反向恢复的问题。此外,同功率等级下,由于DCM模式的变压器比CCM 模式存储的能量少,故DCM 模式的变压器尺寸更小。但是,相比较CCM 模式而言,DCM 模式使得初级电流的RMS 增大,这将会增大MOS 管的导通损耗,同时会增加次级输出电容的电流应力。因此,CCM 模式常被推荐使用在低压大电流输出的场合,DCM 模式常被推荐使用在高压 小电流输出的场合。
图 4 反激变换器
对CCM 模式反激变换器而言,输入到输出的电压增益仅仅由占空比决定。而DCM 模式反激变换器,输入到输出的电压增益是由占空比和负载条件同时决定的,这使得DCM 模式的电路设计变得更复杂。但是,如果我们在DCM 模式与CCM 模式的临界处(BCM 模式)、输入电压最低(Vinmin_DC)、满载条件下,设计DCM 模式反激变换器,就可以使问题变得简单化。于是,无论反激变换器工作于CCM 模式,还是DCM 模式,我们都可以按照CCM模式进行设计。
如图 4(b)所示,MOS 管关断时,输入电压Vin 与次级反射电压nVo 共同叠加在MOS的DS 两端。最大占空比Dmax 确定后,反射电压Vor(即nVo)、次级整流二极管承受的最大电压VD 以及MOS 管承受的最大电压Vdsmax,可由下式得到:
(5)
(6)
(7)
通过公式(5)(6)(7),可知,Dmax 取值越小,Vor 越小,进而MOS 管的应力
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