功能材料概论3(导体半导体及材料性能).ppt

（1）高磁导率 * * 2.5 导体、半导体和绝缘体 固体按导电性能的高低可分为：导体、半导体、绝缘体 导体：在外电场的作用下，大量共有化电子很容易获得能量，集体定向流动形成电流。（善于传导电流的物体，其电阻率很小） 绝缘体：在外电场作用下，共有化电子很难接受外电场的能量，所以形不成电流。（电阻率极高的物体 ） 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间 根据能带结构及电子的填充情况可以说明导体、半导体与绝缘体的区别，这是能带理论的巨大成就。 2.5.1 能带的形成 1. 外层电子共有化 对大量原子有规则地排列成晶体时，由于原子离得很近，每个电子不仅受到本身原子核的作用，而且受到邻近原子核的影响。内层电子因受原子核的牢牢束缚而受影响较小。外层电子（价电子）却不同，除受本身原子的势场作用外，还受邻近原子的势场作用，后者甚至更强，结果就导致这些电子不再局限于某一原子而可以从一个原子转移到相邻原子中去，可以在整个晶体中运动，即电子不再分属各个原子所有，而是属于整个原子所共有，这称电子的共有化。 因为当有N个相同的自由原子时，每个原子内的电子有相同的分立的能级，当这N个原子逐渐靠近时，原来束缚在单原子中的电子，不能在一个能级上存在（违反泡利不相容原则）从而只能分裂成N个非常靠近的能级（10-22ev），因为能量差甚小，可看成能量连续的区域，称为能带。 1s 2p 2s E o 原子间距 禁带 禁带 能带 2. 能带的形成 泡利不相容原理（Pauli’s exclusion principle）指在原子中不能容纳运动状态完全相同的电子。 2.5.2 能带填充与导电性 1. 满带：各能级都被两个自旋相反电子填满的能带 满带 当电子从原来状态转移到另一状态时，另一电子必作相反的转移。没有额外的定向运动。满带中电子不能形成电流。 满带不导电 导带 电子可在外场作用下跃迁到高一级的能级形成电流。 这时，沿电场正、反方向运动的电子数不相等，破坏了原来的对称分布，总电流不为零，所以不满带可以导电。 2. 导带：能带不满，部分能级被电子占据的能带 3. 空带：各能级都没有被电子填充的能带 4. 价带：价电子（最外层电子）所处的能带称为价带 2.5.3 金属、半导体、绝缘体的能带结构 1. 导体：价带是导带或等效导带 导带 满带 满带 空带 满带 空带 价带是满带 和空带重叠 价带是满带 和空带相连 导体中存在导带 在原子未被激发的正常态下，空带没有电子占据，空带中一旦存在电子就具有导电性，空带也是导带。 导体、半导体、绝缘体的不同，主要是因为能带结构不同 2. 绝缘体：只有满带和空带，且禁带宽度较大 满带 空带 禁带 例如金刚石中两个碳原子相距15nm时，△Eg=5.33eV。 满带与导带之间被一个较宽的禁带所隔开，在常温下几乎很少有电子可以被激发越过禁带，因此其电导率很低。 3. 半导体：价带是满带，但是禁带宽度较小 满带 空带 禁带 例如硅?Eg=1.14eV，锗?Eg=0.67eV，砷化镓?Eg=1.43eV。 金属导电与半导体导电的差别：金属导电的载流子是自由电子，半导体导电的载流子是导带中的电子和价带中的空穴。 半导体能带结构下面是价带，价带是一个满价带；上面是导带，导带是空的；满价带和空带之间是禁带，其禁带宽度比较窄，一般在1ev左右。价带中的电子受能量激发后，如果激发能大于Eg，电子可以从价带跃迁到空带上，形成导带，同时在价带中留下一个空的能级位置--空穴。 2.6 本征半导体与杂质半导体 1.本征半导体：高纯度、无缺陷的元素半导体。 杂质浓度﹤10-9 导电机制： 空带 满带 禁带 -e -e -e -e Ie IP ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 本征激发 空 穴 电 流 （本征导电） 价带中的电子受激发后从满价带跃到空导带中，跃迁电子可在导带中自由运动；同时，在满价带中留下空穴，空穴带正电荷，在价带中空穴可传导正电荷。因此，半导体的导电来源于电子和空穴的运动，电子和空穴都是导电的载流子。 2.杂质半导体：在本征半导体中有意加入少量的杂质元 素，以控制电导率，有n型和p型 n型-施主型半导体：掺杂原子的价电子多于纯元素的价电子 例在四价锗（Ge）元素半导体中掺入五价砷（AS）形成的半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 Ge AS AS +5 +5 掺入AS以后，五个价电 子中，有四个电子与周 围的Ge组成共价键晶体 ，还多余一个电子，此 电子成为自由电子，易激发。 p型-受主型半导体：掺杂原子的价电