离子注入均匀性的工艺控.doc

离子注入均匀性的工艺控制①曾庆高 　　摘　要：　叙述了影响离子注入均匀性的几个主要因素，其中包括束流品质，离子束聚焦与扫描以及束流大小选择等。同时介绍了如何控制这些因素来获取优异的注入均匀性，通过这些控制手段，均匀性可以优于1%，结果令人满意。　　关键词：　半导体工艺　离子注入　薄膜技术　均匀性　　中图分类号：　TN305.3　　　文献标识码：A　　文章编号：　1001-5868(1999)04-0262-03 Technological control for uniformity of ion implantationZENG Qing-gao(Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China) 　　Abstract:　In this paper a few primary factors which have influence on implant dose uniformity are described,including the quality of beam current,focusing and scanning of ion-beam,as well as the selection of beam current big or small,etc.And to obtain fine uniformity how to control the factors mentioned above is presented as well.The satisfactory uniformity of δ≤1% is obtained by means of these control methods.　　Keywords:　semiconductor technology,ion implantation,films technology,uniformity1　引言　　离子注入具有许多共知的优点，一次注入或多次注入成为许多器件设计者首选的掺杂工艺，注入均匀性指标是衡量注入工艺质量的重要参数。离子注入设备由许多工艺控制系统组成，因而影响均匀性的可变因素较多，研究如何保证注入均匀性具有重要的意义。　　本文以IM-200M型中能离子注入机为例，重点阐述影响注入均匀性的几个关键因素及其质量控制方法，并给出有关实验结果。2　束流品质　　束流强度的稳定性和束能的稳定性决定了束流品质的好坏，一个稳定的离子束通过平稳 聚焦与扫描在注入时间域里恒定注入衬底，让衬底单位面积获取趋于一致的剂量积分，从而实现注入的均匀性，否则衬底表面会出现积分偏差而影响均匀性。因此，应协调控制一些相关因素，尽量减小离子束的不稳定度来提高注入的均匀性。2.1　束流稳定性与控制2.1.1　离子源的工作状态　　IM-200M型注入机使用的是热阴极离子源，灯丝电流最高可达150 A，源内温度相当高，由于过热，灯丝阻值会渐渐变大；因灯丝(钽)与灯丝座(铜)的热胀系数不同，紧固螺钉时有松动，接触电阻增加，这些都会损失灯丝电流，使灯丝发射电子的能力减弱，气体电离效率降低，这是弧流不稳定的原因之一。随着离子源工作时间的延长，电离室内壁和引出孔长期遭受等离子体溅射，内壁常有异物淀积；灯丝绝缘子表面有污斑或者金属化；引出孔孔径因离子轰击而渐渐变大，这些原因可能使阳极与阴极间电场畸变，也可能使阳极与灯丝发生瞬时短路，造成弧压不稳，启弧间断。特别是引出孔径的变大，让启弧放电变得相当困难，增加源气流量又会缩短离子源的寿命。这是弧流不稳定的原因之二。　　由于离子源外罩要经受25 kV高压，表面不应有尖锐点和凸出部分，以防止尖端放电，否则引出束流会呈现非稳定性。同样的原因，初聚电极表面应确保光滑避免粗糙。此外，离子源进气量(BF3或PH3)应该稳定控制，使源内动态真空度符合正常工作时的要求，源磁场电流应仔细调节，以保证源气达最佳电离状态；冷却系统必须畅通无阻，让高温部分充分冷却。　　离子源有效工作时间每隔14～20 h,应彻底清洗一次。用200#～1 200#砂纸、稠布、玻纤刷和真空吸尘器等洁净工具，对离子源部件进行打磨、抛光、擦拭及吸尘处理，检查各电极紧固螺钉是否松动，对那些失去功能的部件进行更换，让离子源恢复其正常的工作状态。经过这样处理后，束流稳定度可保持在10%左右，表1为离子源的典型工作参数。 表1　离子源典型工作参数Tab.1　Typical operating parameters of ion source离子种类 源气 弧压/A 典型弧流/A 最大弧流/A 源磁电流/A 源真空度/Pa 　11B+ BF3 100 1.8