等离子体增强化学气相沉积(PECVD)综述.doc

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）综述 摘要：本文综述了现今利用等离子体技术增强化学气相沉积（CVD）制备薄膜的原理、工艺设备现状和发展。 关键词：等离子体；化学气相沉积；薄膜； 一、等离子体概论基本概念性质只要绝对温度不为零，任何气体中总存在有少量的分子和原子电离并非任何的电离气体都是等离子体严格地说，只有当带电粒子密度足够大，能够达到其建立的空间电荷足以限制其自身运动时，带电粒子才会对体系性质产生显著的影响，换言之，这样密度的电离气体才能够转变成等离子体。此外，等离子体的存在还有空间和时间限度，如果电离气体的空间尺度L下限不满足等离子体存在的LlD（德拜长度lD）的条件，或者电离气体的存在的时间下限不满足ttp（等离子体的振荡周期tp）条件，这样的电离气体都不能算作等离子体。在组成上等离子体是带电粒子和中性粒子的集合体是一种导电流体等离子体的运动会受到电磁场的影响和支配。，其次，等离子体中的带电粒子之间存在库仑力等离子体的通常用ne、ni 和ng 来表示等离子体内的电子密度、粒子密度和中性粒子密度当ne＝ni时，可用n来表示二者中任一带电粒子的密度，简称等离子体密度。等离子体中含有不同价态的离子，也可能含有不同种类的中性粒子，因此电子密度与粒子密度不一定总是相等。对于主要是一阶电离和含有同一类中性粒子的等离子体，可以认为ne ≈ ni对，定义：a=ne/( ne + ng)电离度。在热力学平衡条件下，电离度仅取决于粒子种类、粒子密度及温度。 等离子体的分类按照存在分为天然和人工等离子体。按照电离度a分为：a0.1称为弱电离等离子体当a0.1时，称为为强电离等离子体；a＝1 时，则叫完全等离子体。，若ｎ＜为稀薄等离子体。按照热力学平衡划分为完全热力学平衡等离子体，即高温等离子体；局部热力学等离子体，也叫热等离子体；非热力学平衡等离子体，也叫低温等离子体。低温等离子体中的电子具有足够高的能量，能够使得反应物分子实现激发、离解和电离；再者，由于反应能量是由电场通过电子提供的，能够在较低的温度下进行反应，使得反应体系可以保持低温。正因此，非平衡性对于等离子体化学与工艺具有十分重要的意义，通常基于低温等离子体技术的设备投资少、节省能源，因此获得了非常广泛的应用。 等离子体特别是热等离子体一般伴随着强光发射，除可见光外，还会有大量的紫外线和X射线。辐射会释放能量，造成等离子体能量的损失，热等离子体的辐射能量损失约占等离子体有效输出功率的30%；辐射所释放的能量可有效地激活反应体系或者对反应过程产生重要影响；等离子体辐射是诊断等离子体状态的重要途径，等离子体密度、温度及化学物质在等离子体中的反应过程都可以因辐射而进行实时监测。 等离子体产生方法有天然和人工。人工有燃烧和气体放电，放电包括：①电弧；②高频；③激波; ④激光；⑤聚变等放电法。 二、等离子体增强化学气相沉积Chemical vapor deposition，CVD是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术常用于制造薄膜（如多晶硅、非晶硅氧化硅） 与之相对的是物理气相沉积（hysical vapor deposition，PVD）。CVD主要常压超高真空CVD (UHCVD)plasma enhanced chemical vapor deposition）法等。 化学反应的本质是原子或原子团的重新组合，为使重新组合得以进行，必须提供反应所需的活化能，一些需要较大活化能的反应在技术上很难实现。但是，在等离子体中，物质由气态变为等离子态，富集了电子、离子、激发态原子、分子及自由基，它们是极活泼的反应性物种，许多难以进行的反应体系在等离子体条件下变得易于进行。人们在化学合成、薄膜制备、表面处理和精细化学加工等领域，在原有工艺技术基础上，有效地引入等离子体，促进一系列革新和巨大的技术进步。 PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气体放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来,采用 PECVD 技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；其中在等离子气相沉积中，潘宁效应起着非常重要的作用。粒子沉积中通常通入保护性气体或反应气体，如氢、氮等。多数沉积元素是金属或其它化合物。受激亚稳态粒子mA与金属B粒子为不同类型的粒子，A的激发电位大于B的电离电位，碰撞后B由基态变为离子，这种过程叫潘宁效应，表示为: mA + B ~ A+ B+ + e(3.22) 其二，各种活性基