热处理温度对发光性能的影响.docVIP

热处理温度对发光性能的影响 热处理温度以及晶体缺陷等对荧光粉的发光性能有非常重要的影响，所以研究其热处理工艺等对于提高YVO4:Dy3+和YPO4:Dy3+荧光粉的发光强度有非常重要的意义。 不同热处理温度对YVO4:Dy3+荧光粉发光性能的影响 1. XRD分析 图3.1是YVO4:Dy3+荧光粉分别经600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃烧结4h的XRD图谱。从图中可以看出，YVO4为四方相锆英石结构，其三强峰分别为（200）、112）、312）晶面，各衍射图谱与YVO4样品 图3.1 不同热处理温度下YVO4:Dy3+的荧光粉XRD图PDF卡片基本一致，说明经600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃烧结的YVO4:Dy3+荧光粉样品均为四方相锆英石结构。随着热处理温度的升高，衍射峰的半高宽逐渐变窄，晶化程度逐渐提高。这是由于热处理温度越高，离子自由能量越高，活化能越大，所以结晶度越高。 此外，在实验中还发现，随着热处理温度的升高，所制备的YVO4:Dy3+荧光粉的颜色由白色变成黄色（600℃、700℃、800℃、900℃为白色，1000℃为黄色）。当温度较高时，会在30°左右产生杂峰（图中1000℃时的XRD图）。这主要是因为V的价态在高温下不稳定，YVO4发生分解，产生V2O5。由于V2O5为黄褐色，所以使整个荧光粉显现出浅黄色。由于通常情况下，人们总是希望得到体色纯白的荧光粉，所以其热处理温度不应高于1000℃，从而获得良好的荧光粉。 2 光谱分析 图3.2是在574nm的激发波长下，分别经600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃烧结4h的YVO4:Dy3+样品YVO4基质中VO43-的能量吸收以及由于Dy3+–O2-相互作用产生的电荷交换，而VO43-的能量吸收是由于O2-到V5+的电荷迁移。此外，在350～450nm范围内有一个由Dy3+的f-f电荷跃迁产生的弱激发带。随着热处理温度的升高，220-260nm范围内的激发峰未发生明显变化，而260-345nm范围内的激发峰变化较为明显，随着热处理温度的升高，荧光粉的激发强度逐渐增强，所以提高热处理温度，对提高荧光粉的发光强度是非常有利的。 图3.3是分别经600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃烧结4h的YVO4:Dy3+荧光粉，在315nm波长激发下的发射光谱。从中可以看到所有的发射谱线具有相似的特征，即在483nm和574nm处有两个强的分别来自Dy3+的4F9/2→6H15/2和4F9/2→6H15/2跃迁产生的特征发射。从图中可以看出，热处理温度并没有荧光粉发射光谱的分布，但随着热处理温度的升高，荧光粉的发射强度逐渐增强，与激发光谱一致。所以提高热处理温度，对提高荧光粉的发光强度是非常有利的。 图3.2 不同热处理温度下的YVO4:Dy3+荧光粉的激 图3.3 不同热处理温度下 3.小结 随着热处理温度的升高，YVO4:Dy3+荧光粉的结晶度越好，其发光强度也越来越高。但是，当温度为1000℃时，有杂相出现，且YVO4:Dy3+荧光粉的颜色有少许发黄，这是由于热处理温度过高时，会使YVO4发生分解，产生V2O5，从而影响荧光粉的颜色，所以其热处理温度不宜超过1000℃。 不同热处理温度下的YPO4:Dy3+荧光粉 1. XRD分析 图3.7是经不同热处理温度处理的YPO4:Dy3+荧光粉XRD图谱。从图中可看到其三强峰的晶面指数依次为（2 0 0）、（1 1 2）、（3 1 2）。从YPO4 标准PDF卡往上依次是分别经600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃下烧结4h的YPO4:Dy3+荧光粉的XRD图谱。 图3.7 不同热处理温度下YPO4:Dy3+的荧光粉XRD图 从图中可以看出，各衍射图谱YPO4的标准PDF卡片基本一致，说明经600℃、700℃、800℃、900℃、1000℃烧结4h的YPO4:Dy3+荧光粉样品均为四方相锆英石结构，且在试验的温度范围内，没有其他杂峰出现，说明YPO4:Dy3+荧光粉样品的热稳定性较高；同时，由于YPO4和DyPO4具有相同的晶体结构，且Dy3+和Y3+的离子半径相近，所带电荷相同，所以Dy3+容易取代YPO4中的Y3+离子，当Dy3+掺杂浓度较小是，对晶格畸变的影响较小。℃、700℃、800℃、900℃、1000℃下烧结4h的YPO4:Dy3+样品YPO4基质中PO43-的能量吸收以及由于Dy3+–O2-相互作用产生的电荷交换，而PO43-的能量吸收是由于O2-到P5+的电荷迁移。此外，在350～450nm范围内有一个因Dy3+的f—f电荷跃迁产生的弱激发带。随着热处理温度的升高，220-260nm范围内