第一章 硅得晶体结构、环境与衬底制备.ppt

第一章 硅的晶体结构、微电子加工环境 与衬底制备 硅半导体的结构 硅的晶体结构：构成一个正四面体，具有金 刚石晶体结构。 硅(原子序数14)的物理化学性质主要由最外层四个电子（称为价电子）决定。每个硅原子近邻有四个硅原子，每两个相邻原子之间有一对电子，它们与两个原子核都有吸引作用，称为共价键。 1.3 单晶中的原生缺陷和有害杂质 Ⅱ、参数的均匀性 大直径单晶生长过程中,掺杂杂质在固-液界面分凝的微区波动及生长速度的瞬间起伏,将产生单晶电阻率径向和轴向分布的不均匀性。随着芯片面积的增大和器件图形尺寸的缩小,微区电阻率不均匀对IC性能的影响更为显著, 影响IC正常工作。 Ⅲ、晶片平整度 由于器件尺寸的缩小及芯片面积的增大，在微细加工过程中，晶片的翘曲将对图形加工质量产生影响，使加工图形畸变变得严重，即使微小的畸变，只要与加工图形尺寸接近,也会引起器件失效。晶片的翘曲是影响大直径单晶平整度的主要因素,理论分析表明,晶片直径愈大、愈容易产生翘曲现象。欲减少翘曲，必须增加晶片厚度、减小晶片所受的加工应力。 ② 抛光是晶片表面主要的精细加工过程。抛光的方法主要有:机械抛光、化学尴光、化学机械抛光。 机械抛光:机械抛光的机理与磨片相同,差别仅在于抛光用研磨料的粒径更小(约0.l－0.5μ m)。特点：机械抛光获得的平整度较高,但表面光洁度差，损伤层深。 化学抛光:液相和气相两种,其实质都是晶片表面化学腐蚀过程。常用的抛光液为HF和HNO3混合液。特点：抛光速度快、光洁度高, 损伤层小,但平整度差、平行度较差，抛光一致性也较差。 化学机械抛光:是微电子加工中最常用的晶片表面精细加工方法是将化学腐蚀和机械研磨结合在一起,兼顾两者优点,从而获得优异的精细加工质量。特点：获得较完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的唯一方法。 硅晶片常用的化学机械抛光液是由抛光粉和氢氧化钠溶液配制成的胶体。抛光粉一般选用硬度不高的微细二氧化硅或二氧化锆。其粒径小于0.01μm。 硅片表面抛光可分为一次抛光和多次抛光，即把抛光分为粗、精抛两个步骤或粗、细、精三个步骤，抛光的步骤越多，所能达到的精密度越高。 粗抛-将研磨造成的损伤层和畸变层高效率的去除，并达到一定的平整度和光洁度; 精抛-去除粗抛过程存在的损伤层，改善硅片表面的微粗糙度，实现表面高光洁度。 ③质量监测：晶片精细加工后的项目:晶片厚度、平整度、翘曲度、表面形貌及损伤。表面形貌主要涉及表面波纹状起伏、桔皮纹、雾状物、划痕等。 表面形貌和划痕可利用聚光灯来检测,在聚光灯强光照射下,表面凹坑和凸起使晶片表面反射光产生明显的照度差,较容易观测。 1、微电子加工对环境质量有哪些基本要求？IC发展对硅材料有哪些要求？ 2、试比较几种物理吸杂方法的优缺点？ 3、简述晶向标识的作用，分别画出n型和p型硅片的（100)和（111）示意图。 思考题 1.6 微电子加工环境 1.6.1 环境对成品率的影响 1.6.2 超净空间环境要求 1.6.3 超纯水 1.6.4 超纯气体和超纯试剂 1.7 衬底材料 1.7.1 IC与硅材料 1.7.2 大直径单晶制备 1.8 衬底制备 1.8.1 单晶的整形和定向 1.8.2 晶片加工 微电子加工环境是指微电子产品在加工过程中所接触的除单晶材料、加工设备及加工技术之外的一切物质。 微电子器件加工水平进入亚微米阶段后,不仅涉及到微细加工等各种高、精、尖技术,而且对加工环境也提出了十分苛刻的要求。任何尘埃(200－300mm硅单晶片在22mm×22mm区域里,尺寸≥ 1μm颗粒物要控制在0.2个/cm2）、杂质团都将破坏加工图形，产生加工缺陷，任何有害离子(如Na+）的引入, 都有可能改变器件特性,影响器件的可靠性。 微电子加工技术,除工艺的精细化、材料的超纯化、设备的精密化特征外,加工环境的超净化成为产品的性能和质量的一个重要保障。 1.6 微电子加工环境 芯片成品率与晶片有效面积、平均缺陷面密度的关系： 1、净化空气 2、洁净加工工具和传输系统 3、超纯试剂、气体 4、低温处理 5、减少来自加工人员的污染 Πδ＝exp(-SDA） SD－平均缺陷密度 A－晶片有效面积 减小缺陷的措施： 1.6.1 环境污染对成品率的影响 1.6.2 超净空间环境要求 超净空间环境包括对空气、人员、设备、工具等引入加工空间的尘埃、油脂、烟雾等任何可动微粒的要求。 （1）净化标准 衡量空间环境洁净程度的主要技术指标是洁净度等级,我国将洁净室空气洁净度分为四个等级。 随着微电子加工进入亚微米